0.13微米闪存工艺平台开发与优化研究

目录

摘要

Abstract

第一章 引言

1.1 不挥发存储器的概述

1.1.1 存储器与不挥发存储器

1.1.2 存储器的分类

1.1.3 非挥发存储器的特性

1.2 闪存存储器的种类

1.2.1 NOR型闪存存储器

1.2.2 NAND型闪存存储器

1.2.3 NOR与NAND型存储器的比较

1.2.4 0.13微米NOR Flash的的构架

第二章 不挥发存储器器件结构与原理

2.1 不挥发存储器的结构

2.1.1 浮栅存储器的结构

2.1.2 电荷俘获型存储器的结构

2.2 不挥发存储器的工作方式

2.2.1 不挥发存储器工作原理

2.2.2 不挥发存储器工作的机制

2.3 0.13微米NOR Flash器件的结构与特性

2.3.1 0.13微米flash器件沿位线方向的结构

2.3.2 沿沟道宽度方向的结构

2.3.3 器件的主要特性

第三章 0.13微米Flash工艺平台的开发

3.1 设计规则的制定

3.1.1 外围电路的设计规则

3.1.2 存储单元的设计规则

3.1.3 边界的设计规则

3.2 工艺流程的建立

3.2.1 主工艺流程顺序的设计

3.2.2 各流程间的相互影响及改善

第四章 工艺平台的优化与可靠性

4.1 0.13微米flash工艺的优化

4.1.1 隧道氧化层生长条件的优化

4.1.2 隧道氧化层形貌的优化

4.1.3 接触孔与叠栅的交叠误差优化

4.2 0.13微米flash工艺的可靠性

第五章 总结与展望

参考文献

致谢