Voltage controlled oscillators; Output; Reprints; High frequency; Phase; Circuits; Noise;
机译:采用0.13μmCMOS的192 GHz推压VCO
机译:具有基于变压器的推挽倍频器的190 GHz VCO,位于40 nm CMOS中
机译:使用辅助交叉耦合对的80-100 GHz VCO和0.18-MU M CMOS的推送拓扑
机译:采用22 nm FD SOI CMOS技术的60 GHz尾节点耦合多核推压VCO
机译:在0.13微米CMOS工艺中设计2.4 GHz VCO的比较研究
机译:基于VCO的电容MEMS麦克风的CMOS读出电路
机译:具有16.2 GHz调谐范围的120 GHz QVCO可以抵抗45 nm CMOS中的VCO拉动