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VDMOS的分栅和虚拟栅结构

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栅结构在某种程度上决定VDMOS器件的频率特性和耐压等基本性能.本文设计并研究了VDMOS器件的分栅结构和虚拟栅结构.通过模拟和器件仿真可以得出,分栅结构可以使得栅与衬底的叠加长度变小,从而减小栅氧化层电容Cox为传统结构的62%:而虚拟栅结构可以很大程度地减小漏栅反馈电容Crss,使其接近于零,同时击穿电压可以提高近21%.

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来源
《第11届全国固体薄膜会议》|2008年|256-260|共5页
会议地点杭州
作者

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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
虚拟栅; 频率特性; 分栅结构; 器件仿真; 击穿电压; 双扩散MOS器件;

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