公开/公告号CN102543695A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;
申请/专利号CN201010504064.7
申请日2010-10-12
分类号H01L21/28;
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
入库时间 2023-12-18 06:00:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-20
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/28 申请公布日:20120704 申请日:20101012
发明专利申请公布后的驳回
2014-01-29
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/28 变更前: 变更后: 登记生效日:20140103 申请日:20101012
专利申请权、专利权的转移
2012-09-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/28 申请日:20101012
实质审查的生效
2012-07-04
公开
公开
机译: 使用牺牲介电结构来形成具有自对准阈值调整并覆盖低电阻栅极的半导体器件
机译: 利用T型或Y型栅极结构的低电阻自对准扩展栅极结构,用于高性能深亚微米FET
机译: 利用A T或Y形栅极结构的低电阻自对准扩展栅极结构,用于高性能深亚微米FET