用于CVD和ALD Si02薄膜的氨基乙烯基硅烷

摘要

本发明涉及使用热CVD工艺、ALD工艺或循环CVD工艺形成在HF溶液中具有极低湿法蚀刻速率的二氧化硅薄膜的方法，其中硅前体选自以下之一：R1nR2mSi(NR3R4)4-n-m；和(R1R2SiNR3)p的环硅氮烷，其中R1是烯基或芳香基，如乙烯基、烯丙基和苯基；R2、R3和R4选自H，直链、支链或环状C1-C10烷基，直链、支链或环状C2-C10烯基，和芳香基；n＝1-3，m＝0-2，p＝3-4。