法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-04
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20120523 申请日:20101109
发明专利申请公布后的驳回
2012-07-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20101109
实质审查的生效
2012-05-23
公开
公开
机译: 在SiC衬底上形成的GaN基LED
机译: 氮化物基化合物层的制造方法,GaN衬底和垂直结构的氮化物基半导体发光器件
机译: 氮化物基化合物层的制造方法,GaN衬底和垂直结构的氮化物基半导体发光器件