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芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置

摘要

本发明涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置。本发明的课题在于提供可以在不降低生产率的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。一种芯片接合薄膜,其具有胶粘剂层和由金属箔构成的电磁波屏蔽层,或者一种芯片接合薄膜,其具有胶粘剂层和通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层。

著录项

  • 公开/公告号CN102468185A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日东电工株式会社;

    申请/专利号CN201110366976.7

  • 申请日2011-11-18

  • 分类号H01L21/48;H01L23/552;H01L21/77;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王海川

  • 地址 日本大阪

  • 入库时间 2023-12-18 05:12:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/48 申请公布日:20120523 申请日:20111118

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/48 申请日:20111118

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

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