芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。