在显示装置中的小芯片之间划分像素

摘要

一种显示装置包括：基板；形成在该基板上的多个像素，每个像素均包括两个或更多个子像素，所述多个像素限定了显示区域；以及设置在基板上的显示区域中的多个小芯片，每个小芯片均控制至少两个相邻像素的子像素。

说明书

技术领域

本发明涉及具有基板的显示装置，该基板具有用于控制像素阵列的分布且独立的 小芯片，并且更具体地，涉及针对阵列中的各个像素的子像素的控制。

背景技术

平板显示装置与计算装置相结合地广泛用于便携式装置和诸如电视机的娱乐装 置。这种显示器通常采用分布在基板上的多个像素来显示图像。各个像素均包含若干 个不同颜色的发光元件(通称为子像素)，这些发光元件通常发射红光、绿光和蓝光， 以表现各图像元素。如在本文中所使用的那样，不区分像素和子像素并且将它们称为 单个发光元件。已知多种平板显示器技术，例如，等离子体显示器、液晶显示器和发 光二极管(LED)显示器。

包含形成发光元件的发光材料薄膜的发光二极管(LED)在平板显示装置中具有 许多优点，并可以用于光学系统。2002年5月7日授予Tang等人的美国专利No. 6,384,529示出了一种包括有机LED发光元件的阵列的有机LED(OLED)彩色显示 器。另选地，可以采用无机材料，无机材料可以包括多晶半导体基体中的磷光晶体或 量子点。还可以采用其他的有机或无机材料薄膜来控制对发光薄膜材料的电荷注入、 电荷传输或电荷阻断，这在本领域中均是已知的。这些材料被布置在电极之间的基板 上并且具有封装覆盖层或封装覆盖片。当电流通过发光材料时，像素发光。所发射的 光的频率取决于使用的材料的性质。在这种显示器中，光可以穿过基板(底部发射体) 或穿过封装覆盖物(顶部发射体)而被发出或穿过这二者被发出。

LED装置可包括被构图的发光层，其中，在图案中采用了不同材料，以在电流 流过这些材料时发射不同颜色的光。另选地，如在Cok的题为“Stacked OLED Display  having Improved Efficiency”的美国专利6,987,355中教导的那样，LED装置可采用单 一发光层(例如，白光发射体)和用于形成全彩色显示的滤色器。而且，例如，如 Cok等人在题为“Color OLED Display with Improved Power Efficiency”的美国专利 6,919,681中教导的那样，已知采用不包括滤色器的白色子像素。已经教授了一种设 计，该设计采用未构图的白色发射体与包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器以 及不滤光的白色子像素的四色像素和子像素来提高装置的效率(例如参见2007年6 月12日授予Miller等人的美国专利7,230,594)。

像素可以采用不同的子像素布置。例如，一种布置将像素的子像素设置成行，从 而在列的方向上形成彩色条带。在一些设计中，相邻行偏移而形成三角图案。在采用 像素中的四个子像素的设计中，这四个子像素可以被布置为二乘二阵列(也称为四方 形图案)。通常，子像素等距地间隔开并均匀地分布在基板上，从而形成了等距像素 的规则阵列。

用于控制平板显示装置中的像素的两种不同方法总体上是公知的：有源矩阵控制 和无源矩阵控制。在无源矩阵装置中，基板不包括任何有源电子元件(如晶体管)。 行电极的阵列和处于分开的层中的列电极的正交阵列形成在基板上，行电极与列电极 之间的重叠交叉部形成发光二极管的电极。外部驱动器芯片接着顺序向各行(或列) 提供电流，同时正交的列(或行)被提供适当的电压以驱动电流通过该行(或列)中 的各发光二极管。各子像素均被对待为单独控制的元件。

在有源矩阵装置中，有源控制元件由半导体材料(例如，涂敷在平板基板上的非 晶硅或多晶硅)的薄膜形成。半导体材料通过光刻工艺形成为薄膜晶体管和电容器。 与晶体硅片中制成的常规晶体管相比，由非晶硅或多晶硅制成的薄膜晶体管(TFT) 较大并且性能较低。而且，这样的薄膜器件通常在玻璃基板上显现出局部的不均匀性 或大面积的不均匀性，这导致采用这样的材料的显示器的电气性能和视觉表现的不统 一。

通常，各子像素均由一个控制元件控制，并且各控制元件均包括至少一个晶体管。 例如，在简单的有源矩阵有机发光(OLED)显示器中，各控制元件均包括两个晶体 管(选择晶体管和功率晶体管)以及用于存储规定子像素亮度的电荷的一个电容器。 各发光元件通常采用独立的控制电极和公共电连接的电极。对发光元件的控制通常是 通过数据信号线、选择信号线、电源连接和接地连接来提供的。设计者通常保证有源 矩阵电路和子像素元件均匀地分布在基板上。各子像素均被对待为单独控制的元件。

作为另选的控制技术，Matsumura等人在美国专利申请2006/0055864中描述了与 用于驱动LCD显示器的显示器基板分立的晶体硅基板。该申请描述了用于把由第一 个半导体基板制成的像素控制器件选择性地转移并固定到第二个平坦的显示器基板 上的方法。示出了像素控制器件内的线路互连和从总线和控制电极到像素控制器件的 连接。尽管存在比另选的薄膜有源矩阵电路数量少的小芯片，但与有源矩阵电路相比， 小芯片较大。较大的小芯片可以不利地影响显示器的图像质量。子像素和像素的优化 的结构没有被公开。

存在着对采用具有与显示器基板分立的硅基板的驱动电路的显示器中的改进的 子像素布置的需要。

发明内容

根据本发明，提供一种显示装置，该显示装置包括：

a)基板；

b)形成在所述基板上的多个像素，各像素均包括两个或更多个子像素，所述多 个像素限定了显示区域；以及

c)设置在所述基板上的所述显示区域中的多个小芯片，各小芯片均控制至少两 个相邻像素的子像素。

优点

通过提供具有被超过一个小芯片控制的子像素的像素，本发明具有获得了改善的 颜色混合和像素均匀性的优点。

附图说明

图1是示出有助于理解本发明的具有受到单个小芯片控制的四方形像素的显示 器部分的示意图；

图2是示出根据本发明实施方式的具有被两个不同的行中的两个不同的小芯片 控制的子像素的四方形像素的示意图；

图3是示出根据本发明实施方式的具有被两个不同的列中的两个不同的小芯片 控制的子像素的四方形像素的示意图；

图4是示出根据本发明另一实施方式的具有被两个不同的行和两个不同的列中 的四个不同的小芯片控制的子像素的四方形像素的示意图；

图5是示出有助于理解本发明的被单独的小芯片控制的四方形像素的示意图；

图6是示出根据本发明实施方式的具有被两个不同的行中的两个不同晶片控制 的子像素的四方形像素的示意图；

图7是示出根据本发明实施方式的具有被两个不同的列中的两个不同小芯片控 制的子像素的四方形像素的示意图；

图8是示出根据本发明另一实施方式的具有被两个不同的行和两个不同的列中 的四个不同小芯片控制的子像素的四方形像素的示意图；

图9是示出有助于理解本发明的具有被单独小芯片控制的条形像素的显示器部 分的示意图；

图10是示出根据本发明实施方式的具有被两个不同的行中的两个不同小芯片控 制的子像素的四方形像素的示意图；

图11是示出根据本发明实施方式的具有被两个不同的行和两个不同的列中的四 个不同小芯片控制的子像素的四方形像素的示意图；

图12是示出有助于理解本发明的具有被单独的小芯片控制的子像素的条形像素 的示意图；

图13是示出根据本发明实施方式的具有被两个不同的列中的两个不同小芯片控 制的子像素的条形像素的示意图；

图14是示出有助于理解本发明的控制具有四个子像素的小芯片的示意图；以及

图15是示出有助于理解本发明的具有被单独的小芯片控制的四个像素的显示器 部分的示意图。

因为图中的各个层和元件具有显著不同的尺寸，所以这些图不是按比例绘制的。

具体实施方式

常规有源矩阵显示器采用薄膜晶体管电路，薄膜晶体管电路包括淀积在基板上的 非晶硅膜或多晶硅膜以控制显示器元件。但是，这些薄膜晶体管的性能比通常在集成 电路中使用的晶体硅器件低得多。有源矩阵装置的另选控制方法采用多个小芯片，这 些小芯片设置在基板上的显示器发光区域中。每个小芯片均形成在独立于显示器基板 的基板上，并且包括电路和连接焊盘，这些电路和连接焊盘用于驱动显示器中的发光 或光量控制元件的电极并且用于响应来自显示器的外部的控制器的信号。

参照图1，显示装置的局部示意图例示了包括限定了发光显示区域的四个子像素 的多个像素10。该显示装置还包括设置在显示基板上的显示区域的多个小芯片20， 这些小芯片20用于控制子像素(例如，红色子像素12、绿色子像素16、蓝色子像素 18和白色子像素14)。在该图中，各个四元素像素10均包括发射四种不同颜色的光 的四个子像素。这些子像素被设置为二乘二配置或四方形配置。各小芯片20均控制 组成一个像素10的四个子像素，并且具有水平尺寸H、垂直尺寸V以及作为H与V 的乘积的像素面积。注意，像素面积包括了介于发光子像素之间的不发光空间，使得 发光面积小于像素面积。如这里使用的，像素面积是指像素在基板上占据的总面积， 包括了介于像素中的子像素之间的不发光空间并限定了像素的尺寸。根据像素中的子 像素的布置，各像素10的中心11均可以是与像素中的各子像素等距的点。另选地， 中心11可以被认为是在包括子像素的全部发光面积的情况下各像素10的中央或者像 素的质心。在本示例中，各小芯片控制像素中的全部子像素。在2008年8月14日提 交的共同未决的、共同转让的美国专利申请12/191,478中教导了这种布置。

参照图14，更详细地示出了小芯片20和被小芯片20控制的子像素12、14、16、 18。各小芯片20均包括用于控制子像素或用于接收总线22、26上的来自外部控制器 的信号的连接焊盘24。如图所示，为了增加发光面积，总线22、26被聚焦在一起并 连接到小芯片20的在长度方向的端部(总线26)或者连接到小芯片的中心(总线22)。 导线28(例如，金属线)将小芯片的连接焊盘电连接到子像素(例如，连接到如有 机发光二极管(OLED)的发光二极管的电极)。总线22可以包括如金属线的导线。 多条这样的导电线可以被包括在各条总线中。

图1的设计是一种简单布置。但是，在平板显示器中，重要的是，各像素都足够 小，使得观看者在适当的观看距离不能分辨像素内的单独子像素，由此提供看上去是 全色的单发光体，其中，像素中的颜色被完全混色。如果像素的间距太大，则观看者 可以区分子像素，由此降低了图像质量。在像素间距很大的情况下，对于观看者来说， 图像可能是不可识别的。此外，例如与在常规有源矩阵显示器中的单独薄膜电路相比， 小芯片20和支持总线22、26可以占据较大的区域。这些大区域不必要均匀地分布在 发光子像素中，由此造成显示器中的图像伪影。而且，像素的中心可以不均匀地分布 在显示器中。本发明克服了基于小芯片的显示器中的这些不足。

参照图2，在本发明的一个实施方式中，显示装置包括基板8、形成在基板8上 的多个像素，各个像素均包括两个或更多个子像素12、14、16、18，多个子像素限 定了显示区域6。多个小芯片被设置在基板8上的显示区域6中，各小芯片均控制至 少两个相邻像素中的子像素。基板上的相邻像素是直接相邻的像素。在本发明的一些 实施方式中，可以将小芯片设置在像素之间。像素的至少一个子像素被第一小芯片控 制，并且同一个像素的至少一个其他子像素被第二小芯片控制。导线28将子像素连 接到小芯片并指示被小芯片控制的子像素。例如，小芯片20B控制它所连接的白色 (W)、蓝色(B)、红色(R)和绿色(G)子像素，并且小芯片20C控制它所连接 的白色(W)、蓝色(B)、红色(R)和绿色(G)子像素。各像素10均包括四个子 像素。在本示例中，像素10A包括受到小芯片20A控制的W子像素和B子像素以及 受到小芯片20B控制的R子像素和G子像素。像素10B包括受到小芯片20B控制的 W子像素和B子像素以及受到小芯片20C控制的R子像素和G子像素。因此，一个 像素的W子像素和B子像素被一个小芯片控制，而同一个像素的R子像素和G子像 素被另一个不同的小芯片控制。这种布置具有减小像素的垂直间距V′的优点，如图 所示，V′(图2)小于V(图1)。因此，观看者不容易单独地分辨出图2的像素内的 子像素12、14、16、18，由此提供了像素10内的更好的颜色混合。

图2的示例示出了在子像素被小芯片间隔开的垂直方向上的提高的像素分辨率。 图3示出了在水平方向上相似情况。参照图3，总线22分隔开子像素(如图14所示) 并且可以连接到小芯片20。尽管总线22的导线(如果存在一个以上)可以分布在各 个单独的子像素列之间，但是由于制造工艺的设计规则容限限制了可以将导线或子像 素设置得多接近，因而这样做可以减少显示器的发光面积(孔径比)。此外，在小芯 片设计中，总线可以有利地连接到小芯片的中心(如图14所示)。尽管这种连接方法 允许在不发光区域中关联较大组的导线，但它可以将像素的子像素分开得比期望的距 离更大。因此，根据本发明的实施方式，一个像素的不同子像素可以受到一个以上的 小芯片控制。如图3所示，小芯片20A、20B和20C控制它们通过导线28而连接的 R子像素、G子像素、B子像素和W子像素。但是，像素10A包括受到小芯片20A 控制的G子像素和B子像素以及受到小芯片20B控制的R子像素和W子像素。同 理，像素10B包括受到小芯片20B控制的G子像素和B子像素以及受到小芯片20C 控制的R子像素和W子像素。水平距离H′(图3)小于水平距离H(图1)，由此改 进了像素的颜色混合。

本发明包括了在水平方向和垂直方向二者上都改进了子像素颜色混合的实施方 式。参照图4，各像素均被四个小芯片控制，因此由于各像素10的子像素12、14、 16、18之间的小芯片20或总线22而使得像素内没有过大的间距。如图4所示，像 素10具有受到第一小芯片控制的B子像素、受到第二小芯片控制的W子像素、受到 第三小芯片控制的G子像素和受到第四小芯片控制的R子像素。在这种布置中，间 距H′于图1中的间距H，并且间距V′小于图1中的间距V，由此改进了像素的颜 色混合。因此，在图2、图3和图4的示例中，根据本发明，子像素按照具有行和列 的阵列而形成，小芯片设置在至少一行或至少一列(但并非所有的行或列)中的间隔 开的子像素之间，并且被小芯片间隔开的子像素之间的间距大于未被小芯片间隔开的 子像素之间的间距。而且，子像素按照具有行和列的阵列而形成，导线设置在至少一 行或至少一列(但并非所有的行或列)中的间隔开的子像素之间，并且被导线间隔开 的子像素之间的间距大于未被导线间隔开的子像素之间的间距。导线可以形成配线并 包括如在一层或更多层中形成的金属。通过如上所述地规定像素，改进了各个像素的 颜色混合。

图1至图4示出了控制各具有四个子像素的一个像素的小芯片。本发明不限于这 样的实施方式。例如，如图5和图15所示，小芯片可以控制包括16个子像素的四个 像素。各小芯片通过导线28(为了清楚起见，在图5和以后的图中示为抽象的图像 符号)连接到16个子像素。像素的中心11以黑点示出。在图15中，为了清楚起见， 仅示出了一半的导线28，但所示出的全部16个子像素均被小芯片控制。如图5所示， 组成像素10的子像素没有被小芯片20或导线22分隔开。但是，像素的分布是不均 匀的。如图所示，被小芯片20分隔开的像素的中心之间的距离V1大于未被小芯片 20分隔开的像素的中心之间的距离V2。同理，被总线22分隔开的像素的中心之间 的距离H1大于未被总线22分隔开的像素的中心之间的距离H2。这种不均匀性可以 降低显示器的图像质量。

根据本发明，在一个实施方式中，在不同的小芯片之间分享对一些像素的子像素 的控制，由此提供像素的均匀分布，即，尽管像素的大小不一定相同，但是像素的中 心被均匀地设置。参照图6，被小芯片控制的子像素设置在与图5相同的位置处。但 是，像素被不同地设置，即，与图5相比，不同的子像素组成了图6中的像素。图像 信号中的子像素值对显示器中的实体子像素的赋予是不同的。如图6所示，小芯片 20A控制像素10A和10D的全部子像素。小芯片20A仅控制像素10B和10E的W 子像素和B子像素。小芯片20B仅控制像素10B和10E的R子像素和G子像素。小 芯片20B控制像素10C和10F的全部子像素。像素到子像素的这种映射的优点在于 提供了像素的中心之间的均匀的垂直间距V3，由此改进了显示器的图像质量。

根据本发明，在另一实施方式中，像素可以横跨总线22导线而分布，以提供像 素中心的均匀间距。参照图7，被小芯片控制的子像素设置在与图5相同的位置处。 但是，像素被设置得不同，即，与图5相比，在图7中，不同的子像素组成像素。在 图像信号中子像素值对显示器中的实体子像素的赋予是不同的。如图7所示，小芯片 20A控制像素10A和10D的全部子像素。小芯片20A仅控制像素10B和10E的G 子像素和B子像素。小芯片20B仅控制像素10B和10E的R子像素和W子像素。 小芯片20B控制像素10C和10F的全部子像素。像素到子像素的这种映射的优点在 于提供了像素的中心之间的均匀的水平间距H3，由此改进了显示器的图像质量。

参照图8，在本发明的另一实施方式中，可以使水平方向和垂直方向二者上的像 素中心之间的间距变得均匀。小芯片20A控制像素10A中的全部子像素。小芯片20A 控制像素10B中的B子像素和G子像素以及像素10D中的B子像素和W子像素。 小芯片20A还控制像素10E中的B子像素。小芯片20B控制像素10C中的全部子像 素。小芯片20B控制像素10B中的R子像素和W子像素以及像素10F中的B子像 素和W子像素。小芯片20B还控制像素10E中的W子像素。小芯片20C控制像素 10G中的全部子像素。小芯片20C控制像素10D中的G子像素和R子像素以及像素 10H中的B子像素和G子像素。小芯片20C还控制像素10E中的G子像素。小芯片 20D控制像素10I中的全部子像素。小芯片20D控制像素10H中的R子像素和W子 像素以及像素10F中的G子像素和R子像素。小芯片20D还控制像素10E中的R子 像素。利用该像素布置，全部的像素中心在水平方向上被分隔开距离H3，并且在垂 直方向上被分隔开距离V3。

本发明可以应用于被设置为条形布置以及四方形(2×2布置)的像素。在本发明 的各种实施方式中，各像素均可以包括四个子像素，并且各个像素的子像素可以被布 置为条形。另选地，各像素均可以包括三个子像素，并且各个像素的子像素可以被布 置为条形。

参照图9，在像素10的结构中，各像素10均具有被小芯片20通过导线28控制 的四个子像素R 12、G 16、B 18和W 14。在该示例中，小芯片20控制8个子像素。 通过比较垂直距离V1和V2可以看出，像素中心11不均匀地分布。参照图10，通 过重新布置像素位置和子像素位置，像素中心可以在垂直方向上均匀地分布。小芯片 20A控制像素10A和10B中的全部子像素。这种布置提供了一致的垂直像素间距V3。 但是，这种布置将条形布置转换成了四方形布置，并且通过比较距离H1和H2可以 看出，水平方向上的间距不均匀。

参照图11并且根据本发明的实施方式，如水平距离H3和垂直距离V3所示出的 那样，可以对像素进行布置以在水平方向和垂直方向二者上提供一致的中心到中心间 距。在这种布置中，小芯片20A控制像素10A中的全部子像素。小芯片20A还控制 像素10B的G子像素和W子像素。小芯片20B控制像素10C中的全部子像素以及 像素10B的R子像素和B子像素。还可以使用作为对图8的布置的补充的布置，在 该布置中，一些像素被四个不同的小芯片控制，并且像素被小芯片分隔开。

参照图12和图13，本发明还可以应用于包括仅具有三个子像素(例如，R、G 和B)的像素的像素布局。在图12中，总线22向小芯片对提供信号并分隔开这些小 芯片对，各小芯片均控制各像素中的全部子像素。但是，通过比较水平间距H1和 H2而可以看出，这种布置产生了中心不均匀分布的像素。根据本发明的实施方式并 如图13所示，通过重新布置像素(但不是子像素或子像素的控制)，可以获得等距均 匀分布的像素中心11。在这种布置中，小芯片20A控制像素10A的G子像素和B子 像素并且小芯片20B控制像素10A的R子像素。小芯片20B控制像素10B的G子像 素和B子像素并且小芯片20C控制像素10B的R子像素。小芯片20C控制像素10C 的G子像素和B子像素。

从这些示例可以看出，各相邻像素的中心之间的间距至少在一个方向(水平或垂 直)上可以相同，或者各相邻像素的中心之间的间距至少在两个正交方向(例如水平 和垂直二者)上可以相同。

尽管像素中心的间距可以是均匀的，但像素的尺寸却可以不同，即，对于不同的 像素来说，像素的总面积(包括像素的子像素之间的间距)可以不同。一般来说，由 于可以将小芯片布置在像素的子像素之间，因此像素的尺寸可以不同。另选地，由于 可以将导线(例如包括一个或更多个导线的总线)布置在像素的子像素之间，因此像 素的尺寸可以不同。在本发明的另一实施方式中，小芯片和导线二者都被布置在像素 的子像素之间。因此，被多个小芯片控制的像素的尺寸可以小于被单个小芯片控制的 像素的尺寸。在最极端的情况下，像素的各个子像素都被单独的小芯片控制，例如， 具有四个子像素的像素可以被四个不同的小芯片控制。

根据本发明的各种实施方式，小芯片20可以按照多种方式来构造，例如，沿小 芯片20的长度构造一行或两行连接焊盘24，如图14和图15所示。互连总线26、22 可以由多种材料形成并使用在器件基板上淀积的多种方法。例如，互连总线26、22 或导线28可以是沉淀或者溅射的例如铝或者铝合金的金属。或者，互连总线42可以 由凝固的导电墨水或者金属氧化物制成。在一个有成本优势的实施方式中，互联总线 42被形成为单个层。

本发明对采用大装置基板(例如，玻璃、塑料、或者金属薄片)的多像素装置的 实施方式特别有用，其中，多个小芯片20在装置基板8上按照规则排列方式布置。 各小芯片20均可以根据小芯片20中的电路并响应于控制信号来控制在装置基板8 上形成的多个子像素。单个像素组或者多个像素组可以被设置在倾斜的元件上，可以 组装这些元件以形成整个显示器。

根据本发明，小芯片20在基板8上提供分布式子像素控制元件。小芯片20与装 置基板8相比是相对小的集成电路并且包括在独立基板上形成的电路，该电路包括导 线、连接焊盘、诸如电阻器或电容器的无源部件、或者诸如晶体管或者二极管的有源 部件。小芯片20与显示器基板8分开地制造并且接着应用于显示器基板8。优选地， 使用制造半导体器件的已知工艺，使用硅晶片或者绝缘体上硅(SOI)晶片来制造小 芯片20。在接合到装置基板8之前，分离出各个小芯片20。因此各个小芯片20的晶 体基部可以被认为是与装置基板8分离的基板并且被布置有小芯片电路。多个小芯片 20因此具有与装置基板10分离并且彼此分离的相应的多个基板。具体地，独立基板 与形成有像素10的基板10分离，并且独立的小芯片基板的面积合起来比装置基板8 小。小芯片20可以具有晶体基板以提供比例如在薄膜非晶硅器件或多晶硅器件中形 成的部件性能更高的有源部件。小芯片20可以优选地具有100μm或更小的厚度，并 且更优选地具有20μm或更小的厚度。这有助于在小芯片20上形成有粘性和平坦化 材料，接着可以使用常规的旋涂技术来施敷。根据本发明的一个实施方式，在晶体硅 基板上形成的小芯片20被以几何阵列排列并且被以粘性或平坦化材料粘接到装置基 板(例如，8)。采用小芯片20的表面上的连接焊盘24将各个小芯片20连接到信号 导线、电力总线和电极行或电极列以驱动像素10。

由于小芯片20形成为半导体基板，因此可以使用现代光刻工具来形成小芯片的 电路。利用这种工具，很容易获得0.5微米或者更小的特征尺寸。例如，现代半导体 加工线可以实现90nm或者45nm的线宽，并且可以在制造本发明的小芯片中采用。 然而，小芯片20还需要连接焊盘24，以在被组装到显示器基板8上时电连接到小芯 片上的配线层。基于显示器基板8上使用的光刻工具的特征尺寸(例如，5μm)和小 芯片20与配线层的对准(例如，+/-5μm)来确定连接焊盘24的尺寸。因此，连接 焊盘24例如可以是15μm宽，焊盘之间间隔5μm。这意味着焊盘将总体上明显大于 在小芯片20上形成的晶体管电路。

焊盘通常可以形成为小芯片上的晶体管上的金属化层。期望制造具有尽可能小的 表面面积的小芯片以使制造成本更低。

通过采用具有独立基板(例如包括晶体硅)的、具有比直接形成在基板(例如， 非晶或者多晶硅)上的电路更高性能的电路的小芯片，提供具有更高性能的装置。由 于晶体硅不仅具有更高的性能而且具有更小的有源元件(例如，晶体管)，因此大大 地减小了电路尺寸。还可以使用微电子机械系统(MEMS)结构来形成有用的小芯片， 例如，Yoon、Lee、Yang和Jang在“A novel use of MEMS switches in driving AMOLED” (信息显示学会技术论文文摘，2008年，3.4，第13页)中所描述的。

装置基板10可以包括形成在利用本领域中已知的光刻技术构图的平坦化层(例 如树脂)上的玻璃和通过沉淀或者溅射如铝或者银的金属或者合金而制成的配线层。 可以使用集成电路工业中已完善的常规技术来形成小芯片20。

本发明可以在具有多像素架构的装置中采用。具体地，本发明可以利用有机或者 无机的LED装置实现，并且在信息显示装置中特别有用。在优选实施方式中，本发 明在在由小分子或者聚合物OLED(如在1988年9月6日授予Tang等人的美国专利 No.4,769,292和1991年10月29日授予VanSlyke等人的美国专利No.5,061,569中公 开的，但不限于此)构成的平板OLED装置中采用。可以采用无机装置，该无机装 置例如采用形成在多晶半导体基体中的量子点(例如，如在Kahen的美国公开No. 2007/0057263中所教导的)并采用有机电荷控制层或无机电荷控制层，或者可以采用 混合的有机/无机装置。有机发光显示器或无机发光显示器的许多组合和变型可以用 来制造这种装置，包括具有顶部发射体构造或底部发射体构造的有源矩阵显示器。

部件列表

H    水平像素中心间距

H′  水平像素中心间距

H1   水平像素中心间距

H2   水平像素中心间距

H3   水平像素中心间距

V    垂直像素中心间距

V′  垂直像素中心间距

V1   垂直像素中心间距

V2   垂直像素中心间距

V3   垂直像素中心间距

6    显示区域

8    基板

10   像素

10A  像素

10B  像素

10C  像素

10D  像素

10E  像素

10F  像素

10G  像素

10H  像素

10I  像素

11   像素中心

12   红色子像素

14   白色子像素

16   绿色子像素

18   蓝色子像素

20   小芯片

20A  小芯片

20B  小芯片

20C  小芯片

20D  小芯片

20E  小芯片

20F  小芯片

22    总线

24    连接焊盘

26    总线

28    导线