倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件

摘要

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，该倒装芯片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。

说明书

技术领域

本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切 割带集成膜。所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护半导体 元件如半导体芯片的背面并提高其强度等的目的。此外，本发 明涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法 和倒装芯片型半导体器件。

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。 因此，作为半导体器件及其封装体，已经广泛地利用其中借助 于倒装芯片接合将半导体元件例如半导体芯片安装(倒装芯片 连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接 中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成 面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可能存在 半导体芯片的背面由保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情 况(参见，专利文献1至10)。

专利文献1：JP-A-2008-166451

专利文献2：JP-A-2008-006386

专利文献3：JP-A-2007-261035

专利文献4：JP-A-2007-250970

专利文献5：JP-A-2007-158026

专利文献6：JP-A-2004-221169

专利文献7：JP-A-2004-214288

专利文献8：JP-A-2004-142430

专利文献9：JP-A-2004-072108

专利文献10：JP-A-2004-063551

然而，用保护膜保护半导体芯片背面需要将保护膜粘贴至 在切割步骤中获得的半导体芯片的背面的额外步骤。结果，处 理步骤数量增加以及生产成本由此增加。此外，近年来朝向薄 型化的趋势导致半导体芯片有时在拾取半导体芯片的步骤中被 损坏。因而，为了提高其机械强度的目的，要求增强半导体晶 片和半导体芯片直到拾取步骤。特别地，在某些情况下，半导 体芯片的薄型化可能会在半导体芯片上产生翘曲，因此需要抑 制或防止翘曲的产生。

发明内容

考虑到前述问题已经做出本发明并且其目的是提供一种可 以抑制或防止在倒装芯片连接至被粘物的半导体元件上产生翘 曲(warp)的倒装芯片型半导体背面用膜，和一种晶片背面用 切割带集成膜。

此外，本发明的另一个目的是提供生产半导体器件的方法， 该方法能够将半导体元件倒装芯片连接至被粘物上，同时抑制 翘曲的产生，结果，可以改进生产率。

为了解决前述的现有技术问题，本发明人已进行了广泛和 深入的研究。结果，已发现倒装芯片连接至被粘物的半导体上 产生的翘曲可以通过在倒装芯片型半导体背面用膜中含有指定 量或更多的无机填料来减少，由此导致完成本发明。

即，本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成 于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所述倒装芯 片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总 量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。

倒装芯片安装中，通常不使用用于封装整个半导体封装的 成型树脂，仅用称作底充胶的包封树脂封装被粘物和半导体元 件之间凸块连接部分。因此，半导体元件的背面是裸露的。例 如，在包封树脂热固化时，由于其固化和收缩而施加应力至半 导体元件，该应力导致有时在半导体元件上产生翘曲。尤其是， 在厚度为300μm以下的薄半导体元件中(进一步，厚度为200μm 以下)可明显产生翘曲。

当本发明的倒装芯片型半导体背面用膜形成于半导体元件 背面时，该膜发挥保护倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件 的功能。此外，在本发明的倒装芯片型半导体背面用膜中，由 于基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量包含70重量％以上的 无机填料，该膜的弹性贮能模量相当高。结果，在包封树脂热 固化时产生的半导体元件的翘曲可以有效地得以抑制或防止。 此外，通过控制无机填料的含量至95重量％以下，可以赋予该 膜合适地挠性。另外，半导体元件背面是指与在其上形成电路 的面相对的面。

倒装芯片型半导体背面用膜优选具有在2μm-200μm范围内 的厚度。通过控制厚度至2μm以上，可以改进膜的机械强度以 及可以取保良好的自支撑性(self-supporting property)。另一方 面，通过控制厚度至200μm以下，由倒装芯片连接至被粘物上 的半导体元件构成的半导体器件可以薄型化。

半导体元件优选具有在20μm-300μm范围内的厚度。

本发明还提供半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带 和层压在该切割带上的上述倒装芯片型半导体背面用膜，其中 切割带包括基材和层压在该基材上的压敏粘合剂层，和倒装芯 片型半导体背面用膜层压在该压敏粘合剂层上。

根据具有如上所述的构造的半导体背面用切割带集成膜， 切割带和倒装芯片型半导体背面用膜以集成方式形成，因此， 半导体背面用切割带集成膜也可以提供切割半导体晶片从而制 备半导体元件的切割步骤或随后的拾取步骤。即，在切割步骤 前当将切割带粘贴至半导体晶片背面时，倒装芯片型半导体背 面用膜也粘贴至其，因而不需要仅粘贴半导体背面用膜的步骤 (半导体背面用膜粘贴步骤)。结果，减少了加工步骤的数量。 此外，由于用半导体背面用膜保护了半导体晶片背面和通过切 割形成的半导体元件的背面，因而在切割步骤或随后的步骤(如 拾取步骤等)期间能够抑制或防止半导体元件的损坏。结果，可 以提高倒装芯片型半导体器件的生产率。

本发明进一步提供使用上述半导体背面用切割带集成膜生 产半导体器件的方法，该方法包括：将半导体晶片粘贴至半导 体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上，切割 所述半导体晶片以形成半导体元件，将所述半导体元件与所述 倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层 剥离，和将所述半导体元件通过倒装芯片连接至被粘物上。

在前述方法中，由于将半导体背面用切割带集成膜粘贴至 半导体晶片的背面，因而不需要仅粘贴半导体背面用膜的步骤 (半导体背面用膜粘贴步骤)。此外，由于半导体晶片和半导体 元件的背面在切割半导体晶片和拾取由切割形成的半导体元件 期间被半导体背面用膜保护，因而可以防止损坏等。结果，可 以以改进的生产率生产倒装芯片型半导体器件。

前述的倒装芯片连接步骤优选包括填充包封树脂至被粘物 和倒装芯片接合至被粘物的半导体元件之间的间隙，随后热固 化该包封树脂。

当包封树脂热固化时，由于其固化和收缩而施加应力至半 导体元件上，该应力导致有时在半导体元件上产生翘曲。尤其 是在厚度为300μm以下(进一步，厚度为200μm以下)的薄半导 体元件中可明显产生翘曲。然而，在前述步骤中，由于基于倒 装芯片型半导体背面用膜的总量，该膜包含70重量％以上的无 机填料，因而拉伸贮能模量相当高。结果，在包封树脂热固化 时产生的半导体元件的翘曲可得到有效地抑制或防止。

本发明进一步提供倒装芯片型半导体器件，其由上述方法 制造。

根据本发明的倒装芯片型半导体背面用膜，由于该膜形成 于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所以该膜发 挥保护半导体元件的功能。此外，根据本发明的倒装芯片型半 导体背面用膜，由于基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量，该 膜包含70重量％以上的无机填料，因而在半导体元件倒装芯片 连接至被粘物时产生的半导体元件的翘曲可以有效地得以抑制 或防止。

此外，根据本发明的半导体背面用切割带集成膜，切割带 和倒装芯片型半导体背面用膜以集成方式形成，因此，也可以 提供半导体背面用切割带集成膜，用于切割半导体晶片从而制 备半导体元件的切割步骤或随后的拾取步骤。结果，不需要仅 粘贴半导体背面用膜的步骤(半导体背面用膜粘贴步骤)。此外， 在随后的切割步骤和拾取步骤中，由于半导体背面用膜粘贴至 半导体晶片的背面或通过切割形成的半导体元件的背面，有时 能够有效地保护半导体晶片和半导体元件，并且可以抑制或防 止半导体元件的损坏。此外，在半导体元件的倒装芯片连接至 被粘物时，可以防止产生半导体元件的翘曲。

此外，根据本发明的半导体器件的生产方法，由于将半导 体背面用切割带集成膜粘贴至半导体晶片背面，因此，不需要 仅粘贴半导体背面用膜的步骤。此外，在切割半导体晶片和拾 取由该切割形成的半导体元件期间，由于半导体晶片的背面和 半导体元件的背面通过半导体背面用膜保护，因而可以防止损 坏等。此外，当半导体元件倒装芯片连接至被粘物上时，也可 以防止在半导体元件上产生翘曲。结果，可以以改进的生产率 生产倒装芯片型半导体器件。

附图说明

图1为示出根据本发明的半导体背面用切割带集成膜的一 个实施方案的横截面示意图。

图2A-2D为示出使用根据本发明的半导体背面用切割带集 成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。

附图标记说明

1半导体背面用切割带集成膜

2半导体背面用膜

3切割带

31基材

32压敏粘合剂层

33对应于半导体晶片粘贴部分的部分

4半导体晶片

5半导体芯片

51在半导体芯片5的电路面侧上形成的凸块(bump)

6被粘物

61粘贴至被粘物6的连接垫(connecting pad)的连结用导电 性材料

具体实施方式

参考图1描述本发明的实施方案，但本发明不限于这些实施 方案。图1为示出根据本实施方案的半导体背面用切割带集成膜 的一个实施方案的横截面示意图。此外，在本说明书的附图中， 未给出对于描述不必要的部分，并且存在通过放大、缩小等示 出的部分以使描述容易。

(半导体背面用切割带集成膜)

如图1所示，半导体背面用切割带集成膜1(下文中有时也称 作″切割带集成的半导体背面保护膜″、″具有切割带的半导体背 面用膜″或″具有切割带的半导体背面保护膜″)具有包括以下的 构造：包括在基材31上形成的压敏粘合剂层32的切割带3，和形 成于压敏粘合剂层32上的倒装芯片型半导体背面用膜2(下文中 有时称作″半导体背面用膜″或″半导体背面保护膜″)。同样如图1 所示，本发明的半导体背面用切割带集成膜可以设计为半导体 背面用膜2仅形成于对应于半导体晶片粘贴部分的部分33上；然 而，半导体背面用膜可以形成于整个压敏粘合剂层32的表面上， 或半导体背面用膜可以形成于大于对应于半导体晶片粘贴部分 而小于整个压敏粘合剂层32的表面的部分。此外，半导体背面 用膜2的表面(要粘贴至晶片背面的表面)可用隔离膜等保护直 至该膜粘贴至晶片背面。

(倒装芯片型半导体背面用膜)

半导体背面用膜2具有膜形状。在半导体背面用切割带集成 膜作为产物的实施方案中，半导体背面用膜2通常处于未固化状 态(包括半固化状态)，且在将半导体背面用切割带集成膜粘贴 至半导体晶片之后热固化(稍后描述细节)。

半导体背面用膜可由树脂组合物形成，例如，包含热固性 树脂和热塑性树脂的树脂组合物形成。半导体背面用膜可由不 包含热固性树脂的热塑性树脂组合物形成或者可由不包含热塑 性树脂的热固性树脂组合物形成。

热塑性树脂的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡 胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、 乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性 聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如6-尼龙和6，6-尼龙、苯氧基树脂、 丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)或 PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亚胺树脂或氟树脂。热 塑性树脂可以单独使用或以其两种以上的组合使用。在这些热 塑性树脂中，优选丙烯酸类树脂和苯氧基树脂，由于苯氧基树 脂能够形成膜状同时保持高的拉伸贮能模量，因而更优选苯氧 基树脂。

苯氧基树脂没有特别限定，其实例包括其中将苯酚部分并 入组成单元的环氧树脂，如通过将表氯醇与二价酚类化合物反 应获得的树脂和通过将二价环氧类化合物与二价酚类化合物反 应获得的树脂。作为苯氧基树脂，例如，可以列举具有至少一 种选自以下骨架的苯氧基树脂：双酚骨架(双酚A型骨架，双酚F 型骨架，双酚A/F混合型骨架，双酚S型骨架，双酚M型骨架， 双酚P型骨架，双酚A/P混合型骨架，双酚Z型骨架等)，萘骨架， 降冰片烯骨架，芴骨架，联苯基骨架，蒽骨架，可溶酚醛清漆 骨架，芘骨架，氧杂蒽骨架，金刚烷骨架，和双环戊二烯骨架； 等。作为苯氧基树脂，也可以使用市售的产品。苯氧基树脂可 以单独使用或以其两种以上的组合使用。

丙烯酸类树脂没有特别限定，其实例包括含有一种或两种 以上具有含有30个以下碳原子、优选4-18个碳原子、更优选6-10 个碳原子和特别是8或9个碳原子的直链或支链烷基的丙烯酸或 甲基丙烯酸的酯作为一种或多种组分的聚合物。即，在本发明 中，丙烯酸类树脂具有还包括甲基丙烯酸类树脂的宽泛含义。 所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔 丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛 基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二 烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。

此外，形成丙烯酸类树脂的其它单体(除其中烷基为具有30 个以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单 体)没有特别限定，其实例包括含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯 酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸 和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲 基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟 丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基) 丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(4-羟甲基环己 基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸基单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、 2-(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、 (甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基团 单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯(2-hydroethylacryloyl phosphate)。 在这点上，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，(甲基) 丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酰基是 指丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基，等等，这应用于整个说明书中。

此外，除了环氧树脂和酚醛树脂之外，热固性树脂的实例 还包括，氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂 和热固性聚酰亚胺树脂。热固性树脂可以单独使用或以其两种 以上的组合使用。作为热固性树脂，仅包含少量腐蚀半导体元 件的离子性杂质的环氧树脂是合适的。此外，酚醛树脂适合用 作环氧树脂的固化剂。

环氧树脂没有特别限定，例如，可使用双官能环氧树脂或 多官能环氧树脂如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚 S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、 双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环 氧树脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolak)型环氧树脂、邻甲酚酚 醛清漆(o-cresol novolak)型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂 和四羟苯基乙烷(tetraphenylolethane)型环氧树脂，或环氧树脂 如乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂 或缩水甘油基胺型环氧树脂。

作为环氧树脂，在以上示例的那些中，酚醛清漆型环氧树 脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙 烷型环氧树脂是优选的。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂 的酚醛树脂具有高反应性，且耐热性等优良。

另外，上述酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实 例包括酚醛清漆型酚醛树脂如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基 树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯 酚酚醛清漆树脂；甲阶型酚醛树脂；和聚氧苯乙烯 (polyoxystyrenes)如聚对氧苯乙烯。酚醛树脂可单独使用或以两 种以上的组合使用。在这些酚醛树脂中，苯酚酚醛清漆树脂和 苯酚芳烷基树脂是特别优选的。这是因为可改进半导体器件的 连接可靠性。

环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的 羟基变为0.5当量至2.0当量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧 基团。更优选0.8当量至1.2当量。即，当混合比在该范围之外时， 固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产物的特性趋于劣化。

在本发明中，可使用环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催 化剂。该热固化促进催化剂可适当地选自已知的热固化促进催 化剂。一种或多种热固化促进催化剂可单独使用或作为组合使 用。作为热固化促进催化剂，例如，可使用胺类固化促进催化 剂、磷类固化促进催化剂、咪唑类固化促进催化剂、硼类固化 促进催化剂或磷-硼类固化促进催化剂。

没有特别限定，胺类固化促进剂包括，例如，单乙醇胺三 氟硼酸盐(由Stella Chemifa Co.，Ltd.制造)，和双氰胺(由Nacalai  Tesque Co.，Ltd.制造)。

没有特别限定，磷类固化促进剂包括，例如三有机基膦如 三苯基膦，三丁基膦，三(对-甲基苯基)膦，三(壬基苯基)膦， 二苯基甲苯基膦；以及四苯基溴化鏻(商品名TPP-PB)，甲基三 苯基鏻(商品名TPP-MB)，甲基三苯基氯化鏻(商品名TPP-MC)， 甲氧基甲基三苯基鏻(商品名TPP-MOC)，苄基三苯基氯化鏻(商 品名TPP-ZC)(全部由Hokko Chemical Industry Co.，Ltd.制造)。 优选地，三苯基膦化合物基本上不溶于环氧树脂。当不溶于环 氧树脂时，则它们可以防止过度热固化。具有三苯基膦结构并 基本上不溶于环氧树脂的热固化催化剂例如，甲基三苯基鏻(商 品名TPP-MB)。此处，术语“不溶”意味着包括三苯基膦化合物 的热固化催化剂不溶于包括环氧树脂的溶剂中，更准确地说， 在落入10-40℃温度范围内的温度下，催化剂不以10重量％以上 的量溶于溶剂。

咪唑类固化促进剂包含2-甲基咪唑(商品名2MZ)，2-十一烷 基咪唑(商品名C11-Z)，2-十七烷基咪唑(商品名C17Z)，1，2-二 甲基咪唑(商品名1，2DMZ)，2-乙基4-甲基咪唑(商品名2E4MZ)， 2-苯基咪唑(商品名2PZ)，2-苯基4-甲基咪唑(商品名2P4MZ)，1- 苄基-2-甲基咪唑(商品名1B2MZ)，1-苄基2-苯基咪唑(商品名 1B2PZ)，1-氰乙基-2-甲基咪唑(商品名2MZ-CN)，1-氰乙基-2- 十一烷基咪唑(商品名C11Z-CN)，1-氰乙基-2-苯基咪唑-1，2，4-苯 三甲酸盐(商品名2PZCNS-PW)，2，4-二氨基-6-[2′-甲基咪唑基 -(1′)]-乙基-s-三嗪(商品名2MZ-A)，2，4-二氨基-6-[2′-十一烷基咪 唑基-(1′)]-乙基-s-三嗪(商品名C 11Z-A)，2，4-二氨基-6-[2′-乙基 -4′-甲基咪唑基-(1′)]-乙基-s-三嗪(商品名2E4MZ-A)，2，4-二氨基 -6-[2′-甲基咪唑基-(1′)]-乙基-s-三嗪异氰脲酸加合物(商品名 2MA-OK)，2-苯基-4，5-二羟甲基咪唑(商品名2PHZ-PW，2-苯基 -4-甲基-5-羟甲基咪唑(商品名2P4MHZ-PW)(全部由Shikoku  Chemical Industry Co.，Ltd.制造)。

没有特别限定，硼类固化促进剂包括，例如三氯化硼。

没有特别限定，磷/硼类固化促进剂包括，例如，四苯基鏻 四苯基硼酸盐(商品名TPP-K)，四苯基鏻四-对-三硼酸盐(商 品名TPP-MK)，苄基三苯基鏻四苯基硼酸盐(商品名TPP-ZK)， 三苯基膦三苯基硼烷(商品名TPP-S)(全部由Hokko Chemical  Industry Co.，Ltd.制造)。

相对于热固性树脂的总量，热固化促进催化剂的比例优选 为0.01重量％-20重量％。当热固化促进催化剂的比例为0.01重量 ％以上时，即使倒装芯片连接至被粘物的半导体元件是薄的(例 如，甚至厚度为300μm以下，进一步200μm以下)，也可以有效 地抑制或防止其翘曲。此外，通过控制热固化促进催化剂的比 例至20重量％以下，倒装芯片型半导体背面用膜的收缩度变得 不过分的大，并可控制至合适的程度。作为热固化促进催化剂 的比例的上限，优选为0.03重量％以上，更优选为0.05重量％以 上。其下限优选为18重量％以下，更优选为15重量％以下。

半导体背面用膜优选由含有环氧树脂和酚醛树脂的树脂组 合物形成。尤其是，该膜合适地由含有环氧树脂、酚醛树脂和 苯氧基树脂的树脂组合物形成。

重要的是半导体背面用膜2具有对于半导体晶片背面(非电 路面)的粘合性(紧密粘合性)。半导体背面用膜2可例如由包含环 氧树脂作为热固性树脂的树脂组合物形成。为了将半导体背面 用膜2预先交联至一定程度，在制备时，优选添加能够与聚合物 的分子链末端官能团等反应的多官能化合物作为交联剂。由此， 可以提高在高温下的粘合特性并且可以改进耐热性。

半导体背面用膜对于半导体晶片的粘合力(23℃，剥离角 度180°和剥离速率300mm/分钟)优选为1N/10mm-宽度以上(例 如，从1N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)，更优选2N/10mm-宽 以上(例如，从2N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)，并且特别 优选4N/10mm-宽度以上(例如，从4N/10mm-宽度至10N/10mm- 宽度)。粘合力为1N/10mm-宽度以上时，该膜以优异的粘合性 粘合至半导体晶片和半导体元件上，并可以防止浮起(lifting) 等产生。另外，在半导体晶片切割中防止芯片飞散。半导体背 面用膜对半导体晶片的粘合力是以例如以下方式测量的值。即， 将压敏粘合剂带(商品名“BT315”，由Nitto Denko Corporation 制造)粘贴到半导体背面用膜的一面，由此增强背面。然后， 借助热层压方法，通过使2Kg的辊在50℃下往复一次，将厚度为 0.6mm的半导体晶片粘贴至长度为150mm和宽度为10mm的背 面增强的半导体背面用膜的正面上。其后，将层压体在热盘 (50℃)上放置2分钟，然后将其在常温(约23℃)下放置20分钟。 放置后，在温度23℃下，在剥离角为180°和拉伸速率为300mm/ 分钟的条件下，使用剥离试验机(商品名“AUTOGRAPH AGS-J”， 由Shimadzu Corporation制造)，将背面增强的半导体背面用膜剥 离。粘合力是此时通过在半导体背面用膜和半导体晶片之间的 界面处剥离测定的值(N/10mm-宽度)。

交联剂没有特别限定，可以使用已知的交联剂。具体地， 例如，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰 胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金属醇 盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚 胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂 等。作为交联剂，异氰酸酯类交联剂或环氧类交联剂是适合的。 交联剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。

异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如 1，2-亚乙基二异氰酸酯、1，4-亚丁基二异氰酸酯和1，6-六亚甲基 二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚 环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸 酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；和芳香族多异氰酸酯例如2，4- 甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4′-二苯甲烷二异氰酸 酯和苯二甲撑二异氰酸酯。另外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二 异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE L”，由Nippon  Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二 异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE HL”，由Nippon  Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的 实例包括N，N，N′，N′-四缩水甘油基-间苯二甲胺、二缩水甘油基 苯胺、1，3-双(N，N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩 水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙 二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水 甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四 醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水 甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、 邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲 酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及还 有在分子中具有两个以上环氧基团的环氧类树脂。

交联剂的使用量没有特别限定，可依赖于交联程度适当选 择。具体地，优选交联剂的使用量通常为7重量份以下(例如0.05 至7重量份)，基于100重量份聚合物组分(特别地，在分子链末 端具有官能团的聚合物)。当交联剂的量基于100重量份聚合物 组分大于7重量份时，粘合力降低，因此不优选该情况。从改进 内聚力的观点，交联剂的量基于100重量份聚合物组分优选为 0.05重量份以上。

在本发明中，代替使用交联剂或与交联剂一起使用，也可 以通过用电子束或紫外光等照射来进行交联处理。

优选将半导体背面用膜着色。由此，能够显示优良的激光 标识性和优良的外观性，且变得能够使半导体器件具有增值的 外观性。如上所述，由于着色的半导体背面用膜具有优良的标 识性，可借助于利用任何各种标识方法如印刷法和激光标识法 通过半导体背面用膜进行标识以赋予各种信息如文字信息和图 形信息至半导体元件或使用半导体元件的半导体器件的非电路 侧上的面。特别地，通过控制着色的颜色，变得能够观察通过 以优良可视性标识而赋予的信息(例如，文字信息和图形信息)。 此外，当将半导体背面用膜着色时，切割带和半导体背面用膜 可容易地彼此区分，因而可提高加工性等。另外，例如，作为 半导体器件，可以通过使用不同的颜色将其产物分类。在将半 导体背面用膜着色的情况(该膜既不是无色的也不是透明的情 况)下，通过着色显示的颜色没有特别限定，但例如优选暗色如 黑色、蓝色或红色，黑色是特别适合的。

在本实施方案中，暗色主要指具有60以下(0至60)，优选50 以下(0至50)，更优选40以下(0至40)的在L*a*b*颜色空间中定义 的L*的暗色。

此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，优选30以下(0至 30)，更优选25以下(0至25)的在L*a*b*颜色空间中定义的L*的 黑色系颜色。在这点上，在黑色中，在L*a*b*颜色空间中定义 的各a*和b*可根据L*的值适当选择。例如，a*和b*两者均在优 选-10至10，更优选-5至5，进一步优选-3至3(特别地0或约0)的 范围内。

在本实施方案中，在L*a*b*颜色空间中定义的L*、a*和b* 可通过用色差计(商品名″CR-200″，由Minolta Ltd制造；色差计) 测量来确定。L*a*b*颜色空间为在1976年由Commission  Internationale de l′Eclairage(CIE)建议的颜色空间，是指称为 CIE1976(L*a*b*)颜色空间的颜色空间。此外，在日本工业标准 (Japanese Industrial Standards)JIS Z8729中定义了L*a*b*颜色空 间。

在半导体背面用膜着色时，根据目标颜色，可使用着色剂 (着色试剂)。作为此类着色剂，可适当使用各种暗色着色剂如 黑色着色剂、蓝色着色剂和红色着色剂，黑色着色剂是更适合 的。着色剂可为任意颜料和染料。着色剂可单独使用或以两种 以上的组合使用。在这点上，作为染料，可以使用任何形式的 染料如酸性染料、反应性染料、直接染料、分散染料和阳离子 染料。此外，同样关于颜料，其形式不特别限制，可在已知颜 料中适当选择和使用。

特别地，当染料用作着色剂时，染料变为处于通过溶解于 半导体背面用膜中而均匀地或几乎均匀地分散的状态中，因此 可容易地生产具有均匀的或几乎均匀的着色浓度(color density) 的半导体背面用膜(结果，半导体背面用切割带集成膜)。因此， 当染料用作着色剂时，半导体背面用切割带集成膜中的半导体 背面用膜可具有均匀的或几乎均匀的着色浓度并且可提高标识 性和外观性。

黑色着色剂不特别限制，例如，可适当选自无机黑色颜料 和黑色染料。此外，黑色着色剂可为其中将青色着色剂(蓝-绿 着色剂)、品红色着色剂(红-紫着色剂)和黄色着色剂(黄着色剂) 混合的着色剂混合物。黑色着色剂可单独使用或以两种以上的 组合使用。当然，黑色着色剂可与除黑色之外其它颜色的着色 剂组合使用。

黑色着色剂的具体实例包括炭黑(如炉黑、槽法炭黑、乙炔 黑、热裂炭黑或灯黑)、石墨、氧化铜、二氧化锰、偶氮型颜料 (例如，偶氮甲碱偶氮黑)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活 性炭、铁素体(如非磁性铁素体或磁性铁素体)、磁铁矿、氧化 铬、氧化铁、二硫化钼、铬配合物、复合氧化物型黑色颜料和 蒽醌型有机黑色颜料。

在本发明中，作为黑色着色剂，也可利用黑色染料如C.I. 溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70，C.I.直接黑17、19、22、 32、38、51、71，C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、 109、110、119、154，和C.I.分散黑1、3、10、24；和黑色颜料 如C.I.颜料黑1、7；等等。

作为此类黑色着色剂，例如，商品名″Oil Black BY″、商品 名″Oil Black BS″、商品名″Oil Black HBB″、商品名″Oil Black 803″、商品名″Oil Black 860″、商品名″Oil Black 5970″、商品名 ″Oil Black 5906″、商品名″Oil Black 5905″(由Orient Chemical  Industries Co.，Ltd.制造)等是商购可得的。

除了黑色着色剂之外的着色剂的实例包括青色着色剂、品 红色着色剂和黄色着色剂。青色着色剂的实例包括青色染料如 C.I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95；C.I.酸性蓝6和45；青色颜 料如C.I.颜料蓝1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、 15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I. 瓮蓝4、60；C.I.颜料绿7。

此外，在品红色着色剂中，品红色染料的实例包括C.I.溶剂 红1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、 83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、 13、14、21、27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、2、9、12、13、 14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、 38、39、40；C.I.碱性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、 27和28。

在品红色着色剂中，品红色颜料的实例包括C.I.颜料红1、2、 3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、 19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、 48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、 55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、 68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、 112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、 163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、 184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、 224、238、245；C.I.颜料紫3、9、19、23、31、32、33、36、 38、43、50；C.I.瓮红1、2、10、13、15、23、29和35。

此外，黄色着色剂的实例包括黄色染料如C.I.溶剂黄19、44、 77、79、81、82、93、98、103、104、112和162；黄色颜料如 C.I.颜料橙31、43；C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、7、10、11、 12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、 65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、 104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、 133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、 172、173、180、185、195；C.I.瓮黄1、3和20。

各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可 分别单独使用或以两种以上的组合使用。在这点上，在使用各 种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂中的两种 以上的情况下，这些着色剂的混合比(或共混比)没有特别限定， 可根据各着色剂的种类和目标颜色等适当选择。

在将半导体背面用膜2着色的情况下，着色形式没有特别限 定。半导体背面用膜可为例如添加有着色剂的单层膜状制品。 此外，该膜可为至少将至少由热固性树脂形成的树脂层与着色 剂层层压的层压膜。在这点上，在半导体背面用膜2为树脂层和 着色剂层的层压膜的情况下，层压形式的半导体背面用膜2具有 树脂层/着色剂层/树脂层的层压形式。在该情况下，在着色剂层 两侧的两树脂层可为具有相同组成的树脂层或可为具有不同组 成的树脂层。

在半导体背面用膜2中，基于半导体背面用膜的总量，无机 填料的含量为70重量％至95重量％范围内。基于半导体背面用膜 的总量，无机填料的含量优选在70重量％至90重量％范围内，更 优选在75重量％至90重量％范围内。在半导体背面用膜2中，由 于基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量，无机填料的含量为 70重量％以上，因此拉伸贮能模量相当高。结果，在包封树脂 热固化时产生的半导体元件的翘曲可以有效地得以抑制或防 止。此外，半导体背面用膜2可为导电性的或非导电性的。无机 填料的实例包括由以下组成的各种无机粉末：二氧化硅，粘土， 石膏，碳酸钙，硫酸钡，氧化铝，氧化铍，陶瓷如碳化硅和氮 化硅，金属或合金如铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、 钯，和焊料及碳等。填料可以单独使用或以其两种以上的组合 使用。特别地，填料适合为二氧化硅，更适合为熔凝二氧化硅。 无机填料的平均粒径优选在0.01μm-100μm的范围内，更优选在 0.02μm-25μm的范围内。通过控制无机填料的平均粒径至 0.01μm以上，可以改进分散性(可以防止聚集)。另一方面，通 过控制粒径至100μm以下，可以改进膜表面的光滑性。无机填 料的平均粒径可通过激光衍射型粒径分布测量设备来测量。

向半导体背面用膜2中，根据需要可适当共混其它添加剂。 其它添加剂的实例除了阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂之外， 还包括增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂。

阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。 阻燃剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。硅烷偶联剂的 实例包括β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧丙 基三甲氧基硅烷和γ-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶 联剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。离子捕集剂的实 例包括水滑石和氢氧化铋。离子捕集剂可以单独使用或以两种 以上的组合使用。

半导体背面用膜2例如可通过利用包括以下步骤的常规使 用方法形成：将热固性树脂例如环氧树脂和如果需要的热塑性 树脂如苯氧基树脂和丙烯酸类树脂以及任选的溶剂和其它添加 剂混合从而制备树脂组合物，接着将其成形为膜状层。具体地， 作为半导体背面用膜的膜状层(粘合剂层)例如，能够通过以下 方法形成：包括将树脂组合物施涂至切割带的压敏粘合剂层32 上的方法；或者包括将树脂组合物施涂至适当的隔离膜(例如， 剥离纸)上以形成树脂层(或粘合剂层)，然后将其转移(转换)至 压敏粘合剂层32上的方法；等等。在这点上，树脂组合物可为 溶液或分散液。

此外，在半导体背面用膜2由包含热固性树脂如环氧树脂的 树脂组合物形成的情况下，在将半导体背面用膜2施加至半导体 晶片之前的阶段，该膜处于热固性树脂组分未固化或部分固化 的状态。在此情况下，在将其施加至半导体晶片之后(具体地， 通常，在当封装材料在倒装芯片接合步骤中固化时)，半导体背 面用膜中的热固性树脂完全或几乎完全固化。

如上所述，由于即使当半导体背面用膜2包含热固性树脂 时，该膜也处于热固性树脂未固化或部分固化的状态，因此半 导体背面用膜的凝胶分数没有特别限定，但是例如在50重量％ 以下(0-50重量％)的范围内合适地选择，并优选30重量％以下 (0-30重量％)，特别优选10重量％以下(0-10重量％)。半导体背面 用膜的凝胶分数可通过以下测量方法测量。

<凝胶分数测量方法>

从半导体背面用膜2中取样约0.1g样品，并精确称重(样品 重量)，将样品包裹在网型片(mesh-type sheet)中后，将它在室 温下在约50ml甲苯中浸渍1周。此后，从甲苯中取出溶剂不溶 性物质(网型片中的内容物)，并在130℃下干燥约2小时，将干 燥后的溶剂不溶性物质称重(浸渍并干燥后的重量)，然后根据 以下表达式(a)计算凝胶分数(重量％)。

凝胶分数(重量％)＝[(浸渍并干燥后的重量)/(样品重 量)]×100        (a)

半导体背面用膜的凝胶分数能够通过树脂组分的种类和含 量、交联剂的种类和含量以及除此以外的加热温度和加热时间 等来控制。

在本发明中，在半导体背面用膜为由包含热固性树脂如环 氧树脂的树脂组合物形成的膜状制品的情况下，可有效地显示 对于半导体晶片的紧密粘合性。

此外，由于在半导体晶片的切割步骤中使用切割水，半导 体背面用膜吸收水分，从而在一些情况下具有常规状态以上的 水分含量。当在仍维持此类高水分含量下进行倒装芯片接合时， 水蒸气残留在半导体背面用膜2和半导体晶片或其加工体(半导 体)之间的粘合界面处，并且在一些情况下产生浮起。因此，通 过构成半导体背面用膜为其中将具有高透湿性的芯材料设置于 其各表面上的构造，水蒸气扩散，由此可以避免此类问题。从 该观点，其中半导体背面用膜2形成于芯材料的一面或两面的多 层结构可用作半导体背面用膜。芯材料的实例包括膜(例如，聚 酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二 酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纤维或塑料无纺纤维增强的树脂 基板、硅基板和玻璃基板。

半导体背面用膜2的厚度(在层压膜的情况下为总厚度)不 特别限制，但例如可适当选自约2μm-200μm的范围。另外，该 厚度优选约4μm-160μm，更优选约6μm-100μm和特别优选约 10μm-80μm。

半导体背面用膜2在23℃下处于未固化状态时的拉伸贮能 弹性模量优选为1GPa以上(例如，1GPa-50GPa)，更优选2GPa以 上，特别地3GPa以上是适合的。当拉伸贮能弹性模量为1GPa以 上时，在将半导体芯片与半导体背面用膜2一起从切割带的压敏 粘合剂层32剥离之后，将半导体背面用膜2放置在支承体上并进 行输送等时，能够有效地抑制或防止半导体背面用膜粘贴至支 承体。在这点上，支承体例如为载带中的顶带和底带等。如上 所述，在半导体背面用膜2由包含热固性树脂的树脂组合物形成 的情况下，热固性树脂通常处于未固化或部分固化的状态，因 此半导体背面用膜在23℃下的拉伸贮能弹性模量为在热固性树 脂未固化或部分固化的状态下的在23℃下的拉伸贮能弹性模 量。

此处，半导体背面用膜2可为单层或层压多层的层压膜。在 层压膜的情况下，作为为固化状态下的整个层压膜的23℃下的 拉伸贮能弹性模量充分地为1GPa以上(例如，1GPa-50GPa)。此 外，处于未固化状态的半导体背面用膜的拉伸贮能弹性模量 (23℃)可通过适当设定树脂组分(热塑性树脂和/或热固性树脂) 的种类和含量或填料如二氧化硅填料的种类和含量来控制。在 半导体背面用膜2为层压多层的层压膜的情况下(半导体背面用 膜具有层压层形式的情况下)，作为层压层形式，例如，可示例 由晶片粘合剂层和激光标识层构成的层压形式。此外，在晶片 粘合剂层和激光标识层之间，可设置其它层(中间层、遮光层、 补强层、着色层、基材层、电磁波屏蔽层、导热层、压敏粘合 剂层等)。在这点上，晶片粘合剂层为显示对晶片优良的紧密粘 合性(粘合性质)的层和与晶片背面接触的层。另一方面，激光 标识层为显示优良的激光标识性的层和在半导体芯片背面上激 光标识时利用的层。

拉伸贮能弹性模量通过以下测定：制备不层压至切割带3 上的处于未固化状态的半导体背面用膜2，并使用由Rheometrics  Co.，Ltd.制造的动态粘弹性测量设备“Solid Analyzer RS A2”，在 规定温度(23℃)下，在氮气气氛中，在样品宽度为10mm、样品 长度为22.5mm、样品厚度为0.2mm、频率为1Hz和升温速率为 10℃/分钟的条件下，以拉伸模式测量弹性模量，并将该测量的 弹性模量作为获得的拉伸贮能弹性模量的值。

半导体背面用膜2优选在其至少一个表面上用隔离膜(剥离 衬垫)(图中未示出)保护。例如，在半导体背面用切割带集成膜1 中，隔离膜设置在半导体背面用膜的至少一个表面上。另一方 面，在没有与切割带集成的半导体背面用膜中，隔离膜可以设 置在半导体背面用膜的一个表面或两个表面。隔离膜具有作为 保护半导体背面用膜直至其实际使用的保护材料的功能。此外， 在半导体背面用切割带集成膜1中，隔离膜可以进一步用作在将 半导体背面用膜2转移至在切割带基材的压敏粘合剂层32上时 的支承基材。当将半导体晶片粘贴至半导体背面用膜上时，剥 离隔离膜。作为隔离膜，也可使用聚乙烯或聚丙烯的膜、以及 其表面用脱模剂例如氟类脱模剂或长链烷基丙烯酸酯类脱模剂 涂布的塑料膜(例如，聚对苯二甲酸乙二酯)或纸等。隔离膜可 通过常规已知的方法形成。此外，隔离膜的厚度等没有特别限 定。

在没有用切割带3层压的半导体背面用膜2的情况中，半导 体背面用膜2可以与在其两面上均具有剥离层的一个隔离膜一 起卷绕成卷形物，其中膜2由在其两个表面上均具有剥离层的隔 离膜保护；或者膜2可以由在其至少一个表面上具有剥离层的隔 离膜保护。

此外，在半导体背面用膜2中的对于可见光的透光率(可见 光透过率，波长：400nm-800nm)没有特别限定，但例如，优选 在20％以下(0-20％)、更优选10％以下(0-10％)、特别优选5％以下 (0-5％)的范围内。当半导体背面用膜2具有可见光透过率为大于 20％时，存在光的透射不利地影响半导体元件的担心。可见光 透过率(％)能够通过半导体背面用膜2的树脂组分的种类和含 量、着色剂(例如颜料或染料)的种类和含量以及无机填料的含 量等来控制。

半导体背面用膜2的可见光透过率(％)可如下测定。即，制 备本身具有厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜2。然后， 将半导体背面用膜2用波长为400至800nm的可见光在规定强度 下照射[设备：由Shimadzu Corporation制造的可见光产生设备 [商品名″ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER″]，并测量透 过的可见光的强度。此外，可基于可见光通过半导体背面用膜2 透射前后的强度变化来确定可见光透过率(％)。在这点上，也可 以从厚度不是20μm的半导体背面用膜2的可见光透过率(％；波 长：400至800nm)的值推导出厚度为20μm的半导体背面用膜2的 可见光透过率(％；波长：400至800nm)。在本发明中，在厚度 为20μm的半导体背面用膜2的情况下确定可见光透过率(％)，但 根据本发明的半导体背面用膜不限于厚度为20μm的半导体背 面用膜。

此外，作为半导体背面用膜2，更优选具有较低吸湿度的半 导体背面用膜。具体地，吸湿度优选1重量％以下，更优选0.8 重量％以下。通过将吸湿度调整至1重量％以下，能够提高激光 标识性。此外，例如，在再流步骤(reflow step)中能够抑制或防 止半导体背面用膜2和半导体元件之间空隙的产生。吸湿度为由 将半导体背面用膜2在温度为85℃和湿度为85％RH的气氛下静 置168小时前后的重量变化计算的值。在半导体背面用膜2由包 含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，吸湿度是指当将热 固化后的膜在温度为85℃和湿度为85％RH的气氛下静置168小 时时获得的值。此外，吸湿度例如可通过改变无机填料的添加 量来调整。

此外，作为半导体背面用膜2，更优选具有较小比例的挥发 性物质的半导体背面用膜。具体地，热处理后半导体背面用膜2 的重量减少的比例(重量减少率)优选为1重量％以下，更优选0.8 重量％以下。热处理的条件为例如加热温度为250℃，加热时间 为1小时。通过将重量减少率调整至1重量％以下，能够提高激 光标识性。此外，例如，在再流步骤中能够抑制或防止倒装芯 片型半导体器件中裂纹的产生。重量减少率可例如通过添加在 无铅焊料再流时能够减少裂纹产生的无机物质来调整。在半导 体背面用膜2由包含热固性树脂组分的树脂组合物形成的情况 下，重量减少率为当将热固化后的半导体背面用膜在温度为 250℃和加热时间为1小时的条件下加热时获得的值。

(切割带)

切割带3包括基材31和形成于基材31上的压敏粘合剂层32。 因而，切割带3充分具有层压基材31和压敏粘合剂层32的构造。 基材(支承基材)可用作压敏粘合剂层等的支承材料。基材31优 选具有放射线透过性。作为基材31，例如，可使用合适的薄材 料，例如纸类基材如纸；纤维类基材如织物、无纺布、毡和网； 金属类基材如金属箔和金属板；塑料基材如塑料膜和片；橡胶 类基材如橡胶片；发泡体(foamed body)如发泡片；及其层压体 [特别地，塑料基材与其它基材的层压体，塑料膜(或片)彼此的 层压体等]。在本发明中，作为基材，可适当使用塑料基材如塑 料膜和片。此类塑料材料的原料的实例包括烯烃类树脂如聚乙 烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作为单体组 分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、 乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物和乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规，交替) 共聚物；聚酯如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯 (PEN)和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸类树脂；聚氯乙 烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺类树脂如 聚酰胺(尼龙)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族 聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯 乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；硅 酮树脂；和氟化树脂。

另外，基材31的材料包括聚合物如前述树脂的交联材料。 塑料膜可在不拉伸的情况下使用或者需要时可在进行单轴或双 轴拉伸处理后使用。根据通过拉伸处理等赋予热收缩性的树脂 片，在切割后通过基材31的热收缩而减小压敏粘合剂层32和半 导体背面用膜2之间的粘合面积，因而能够使半导体芯片的回收 容易。

为了提高与邻接层的紧密粘合性和保持性等，可在基材31 的表面上实施常规使用的表面处理，例如化学或物理处理如铬 酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压电击或电离辐射 处理，或用底漆剂(undercoating agent)例如稍后提及的压敏粘合 剂物质的涂布处理。

作为基材31，可适当选择和使用相同种类或不同种类的材 料，需要时，可将几种材料共混并使用。此外，为了赋予基材 31以抗静电能力，可在基材31上形成由金属、合金或其氧化物 组成的厚度为约30至500埃的导电性物质的气相沉积层。基材31 可为单层或其两层以上的多层。

基材31的厚度(在层压层的情况下为总厚度)没有特别限 定，可依赖于强度、挠性及预期的用途等适当选择。例如，厚 度通常为1000μm以下(例如1μm至1000μm)，优选10μm至500μm， 进一步优选20μm至300μm，特别优选约30μm至200μm，但不限 于此。

此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材31可包含 各种添加剂(着色剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面 活性剂、阻燃剂等)。

压敏粘合剂层32由压敏粘合剂形成并具有压敏粘合性。该 压敏粘合剂没有特别限定，可在已知的压敏粘合剂中适当选择。 具体地，作为压敏粘合剂，具有上述特性的压敏粘合剂可在例 如以下的已知压敏粘合剂中适当选择：丙烯酸类压敏粘合剂、 橡胶类压敏粘合剂、乙烯基烷基醚类压敏粘合剂、硅酮类压敏 粘合剂、聚酯类压敏粘合剂、聚酰胺类压敏粘合剂、聚氨酯类 压敏粘合剂、氟类压敏粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物类压敏 粘合剂，和通过将具有约200℃以下熔点的热熔融性树脂混入上 述压敏粘合剂中制备的蠕变特性改进的压敏粘合剂(例如参见， JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、 JP-A-56-13040，将其引入此处以作参考)；并在此使用。此外， 作为压敏粘合剂，也可使用照射固化型压敏粘合剂(或能量射线 固化型压敏粘合剂)和热膨胀性压敏粘合剂。压敏粘合剂可单独 或以两种以上的组合使用。

作为压敏粘合剂，这里优选使用丙烯酸类压敏粘合剂和橡 胶类压敏粘合剂，更优选丙烯酸类压敏粘合剂。丙烯酸类压敏 粘合剂的实例包括将一种或多种(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体 组分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙 烯酸类压敏粘合剂。

用于丙烯酸类压敏粘合剂的(甲基)丙烯酸烷基酯包括例如 (甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲 基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲 基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲 基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基) 丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、 (甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、 (甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸 十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲 基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十 八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯、(甲基)丙烯酸二十烷酯等。作 为(甲基)丙烯酸烷基酯，优选其中烷基具有4至18个碳原子的(甲 基)丙烯酸烷基酯。在(甲基)丙烯酸烷基酯中，烷基可为线性或 支化的。

为了改善内聚力、耐热性及其交联性等目的，如果需要丙 烯酸类聚合物可包含与手术(甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的任何 其它单体组分(可共聚合单体组分)对应的单元。可共聚合单体 组分包括含羧基单体如(甲基)丙烯酸(丙烯酸，甲基丙烯酸)、丙 烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆 酸；含酸酐基团单体如马来酸酐、衣康酸酐；含羟基单体如(甲 基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、 (甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸 酯、(甲基)丙烯酸羟月桂酯和甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲 酯；含磺酸基单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰 胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、 (甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸 酯；(N-取代的)酰胺类单体如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲 基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰 胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类 单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙 酯、(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类 单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰 基丙烯酸酯类单体如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基的丙烯酸 类单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；苯乙烯类单体如苯乙烯、α- 甲基苯乙烯；乙烯基酯类单体例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯； 烯烃类单体如异戊二烯、丁二烯和异丁烯；乙烯基醚类单体例 如乙烯基醚；含氮单体如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯 烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、 乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基 吗啉、N-乙烯基碳酰胺、N-乙烯基己内酰胺；马来酰亚胺类单 体如N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马 来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺；衣康酰亚胺类单体如N-甲基衣 康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣 康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、 N-月桂基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺类单体如N-(甲基)丙烯酰氧 亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亚甲基琥珀酰亚 胺和N-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺；丙烯酰基甘 醇酸酯单体如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸 酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol  (meth)acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯 (methoxypolypropylene glycol(meth)acrylate)；具有杂环、卤原 子或硅原子等的丙烯酸酯类单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、 含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine(meth)acrylate)和含硅酮(甲基)丙 烯酸酯(silicone(meth)acrylate)；多官能单体如己二醇二(甲基) 丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基) 丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯 酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯 酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙 烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸 丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯等。一种或多种这些可共聚合单体 组分可单独或以两种以上的组合使用。

在本发明中可用的照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固 化型压敏粘合剂)(组合物)包括，例如包含在聚合物侧链、主链 或主链末端中具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础 聚合物的内部照射固化型压敏粘合剂，以及通过将UV固化型单 体组分或低聚物组分混入压敏粘合剂中而制备的照射固化型压 敏粘合剂。在此处还可用的热膨胀性压敏粘合剂包括，例如包 含压敏粘合剂和发泡剂(特别地，热膨胀性微球)的热膨胀性压 敏粘合剂。

在本发明中，在不损害本发明优点的范围内，压敏粘合剂 层32可包含各种添加剂(例如，增粘剂、着色剂、增稠剂、增量 剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂 等)。

交联剂没有特别限定，可使用已知的交联剂。具体地，作 为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三 聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金 属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳 二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交 联剂等，异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂是合适的。交联剂 可以单独使用或两种以上组合使用。此外，交联剂的量没有特 别限定。

异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如 1，2-亚乙基二异氰酸酯、1，4-亚丁基二异氰酸酯和1，6-六亚甲基 二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚 环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸 酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；芳香族多异氰酸酯例如2，4-甲苯 二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯和 苯二甲撑二异氰酸酯。另外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰 酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE L”，由Nippon  Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]和三羟甲基丙烷/六亚甲基 二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE HL”，由Nippon  Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的 实例包括N，N，N′，N′-四缩水甘油基-间苯二甲胺、二缩水甘油基 苯胺、1，3-双(N，N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩 水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙 二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水 甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四 醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水 甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、 邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲 酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及还 有在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。

在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可 以通过用电子束或紫外线照射进行交联处理。

压敏粘合剂层32例如可通过利用包括混合压敏粘合剂和任 选的溶剂及其它添加剂，然后将该混合物成形为片状层的通常 使用的方法形成。具体地，例如，可提及以下方法：包括将包 含压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂的混合物施涂至基材 31上的方法；包括施涂上述混合物至适当隔离膜(如剥离纸)上 以形成压敏粘合剂层32，然后将其转移(转换)至基材31上的方 法；等。

没有特别限定，压敏粘合剂层32的厚度，例如，可以为约 5μm至300μm(优选5μm至200μm，进一步优选5μm至100μm，特 别优选7μm至50μm)。当压敏粘合剂层32的厚度在上述范围内 时，则该层能够显示适当的压敏粘合力。压敏粘合剂层32可为 单层或多层。

切割带3的压敏粘合剂层32对倒装芯片型半导体背面用膜2 的粘合力(23℃、剥离角度为180°、剥离速率为300mm/分钟) 优选在0.02N/20mm至10N/20mm的范围内，更优选0.05N/20mm 至5N/20mm。当该粘合力至少0.02N/20mm时，则可以防止在切 割半导体晶片时半导体芯片飞散。另一方面，当该粘合力至多 10N/20mm时，则半导体芯片在其拾取过程中容易剥离并防止压 敏粘合剂残留。

此外，在本发明中，可使倒装芯片型半导体背面用膜2或半 导体背面用切割带集成膜1具有抗静电功能。由于该构造，能够 防止电路由于以下原因导致的击穿：由于在其粘合时和剥离时 静电能的产生或由于半导体晶片等通过静电能的带电。赋予抗 静电功能可通过适当的方式如以下方法进行：添加抗静电剂或 导电性物质至基材31、压敏粘合剂层32和半导体背面用膜2的方 法，或在基材31上设置由电荷转移配合物(complex)或金属膜等 组成的导电层的方法。作为这些方法，优选难以产生具有改变 半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和改 进导热性等的目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包 括银、铝、金、铜、镍或导电性合金等的球形、针形或薄片形 金属粉末；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。然而， 从不具有漏电性的观点，半导体背面用膜2优选非导电性的。

此外，倒装芯片型半导体背面用膜2或半导体背面用切割带 集成膜1可以以卷绕成卷形物的形式形成或可以以将片材(膜) 层压的形式形成。例如，在膜具有卷绕成卷形物的形式的情况 下，根据需要，以通过隔离膜保护半导体背面用膜2或半导体背 面用膜2与切割带3的层压体的状态将该膜卷绕成卷形物，由此 可制备膜作为处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用膜 2或半导体背面用切割带集成膜1。在这点上，处于卷绕成卷形 物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜1可由基材31、在基 材31的一个表面上形成的压敏粘合剂层32、在压敏粘合剂层32 上形成的半导体背面用膜2，和在基材31的另一表面上形成的可 剥离处理层(后表面处理层)构成。

此外，半导体背面用切割带集成膜1的厚度(半导体背面用 膜的厚度和包括基材31和压敏粘合剂层32的切割带的厚度的总 厚度)可在例如8μm至1,500μm的范围内选择，其优选20μm至 850μm，更优选31μm至500μm，特别优选47μm至330μm。

在这点上，在半导体背面用切割带集成膜1中，通过控制半 导体背面用膜2的厚度与切割带3的压敏粘合剂层32的厚度的比 或者半导体背面用膜2的厚度与切割带的厚度(基材31和压敏粘 合剂层32的总厚度)的比，能够改进切割步骤时的切割性和拾取 步骤时的拾取性等，并且从半导体晶片的切割步骤至半导体芯 片的倒装芯片接合步骤均能够有效利用半导体背面用切割带集 成膜1。

(半导体背面用切割带集成膜的生产方法)

在使用示于图1的半导体背面用切割带集成膜1为实例的同 时描述根据本实施方案的半导体背面用切割带集成膜的生产方 法。首先，基材31可通过常规已知的成膜方法形成。成膜方法 的实例包括压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在紧密密闭 体系中的膨胀挤出法、T-模挤出法、共挤出法和干法层压法。

接着，将压敏粘合剂组合物施涂至基材31上和在其上干燥 (和任选地在加热下交联)，以形成压敏粘合剂层32。施涂系统 包括辊涂、丝网涂布(screen coating)、凹版涂布(gravure coating) 等。压敏粘合剂组合物可直接施涂至基材31，以在基材31上形 成压敏粘合剂层32；或可将压敏粘合剂组合物施涂至表面已进 行润滑处理的剥离纸等以在其上形成压敏粘合剂层32，和可以 将压敏粘合剂层32转移至基材31上。因此，形成具有在基材31 上形成压敏粘合剂层32的切割带3。

另一方面，涂布层可通过以下形成：将用于形成半导体背 面用膜2的形成材料施涂至剥离纸上以在干燥后具有规定厚度， 并在规定条件下进一步将其干燥(在需要热固化的情况下，根据 需要进行加热处理和干燥)。通过将该涂布层转移至压敏粘合剂 层32上，在压敏粘合剂层32上形成半导体背面用膜2。在这点上， 半导体背面用膜2也能够通过以下在压敏粘合剂层32上形成：在 压敏粘合剂层32上直接施涂用于形成半导体背面用膜2的形成 材料，接着在规定条件下将其干燥(在需要热固化的情况下，根 据需要，进行加热处理和干燥)。因此，能够获得根据本发明的 半导体背面用切割带集成膜1。此外，在半导体背面用膜2形成 时进行热固化的情况下，重要的是进行热固化至其实现部分固 化这样的程度，但是优选不进行热固化。

本发明的半导体背面用切割带集成膜1能够在包括倒装芯 片连接步骤的半导体器件生产时适当使用。即，在倒装芯片安 装的半导体器件生产时使用本发明的半导体背面用切割带集成 膜1，因此以将半导体背面用切割带集成膜1的半导体背面用膜2 粘贴至半导体芯片背面的状态或形式生产倒装芯片安装的半导 体器件。因此，可将本发明的半导体背面用切割带集成膜1用于 倒装芯片安装的半导体器件(处于通过倒装芯片接合法将半导 体芯片固定于被粘物如基板的状态或形式的半导体器件)。

半导体背面用膜2也可用于倒装芯片安装的半导体器件(处 于在倒装芯片接合法中将半导体芯片固定于被粘物如基板等的 状态或形式的半导体器件)，如在半导体背面用切割带集成膜1 中。

(半导体晶片)

半导体晶片不特别限制，只要其为已知的或通常使用的半 导体晶片即可，可在由各种材料制成的半导体晶片中适当地选 择和使用。在本发明中，作为半导体晶片，可适当地使用硅晶 片。

(半导体器件的生产方法)

参考图2A至2D将描述根据本发明的生产半导体器件的方 法。图2A-2D为示出在使用半导体背面用切割带集成膜1的情况 下生产半导体器件的方法的横截面示意图。

根据半导体器件的生产方法，半导体器件可使用半导体背 面用切割带集成膜1生产。具体地，该方法包括以下步骤：将半 导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜上的步骤，切割半 导体晶片的步骤，拾取通过切割获得的半导体元件的步骤，和 将半导体元件倒装芯片连接至被粘物上的步骤。

此外，当使用半导体背面用膜2时，半导体器件也可以根据 使用半导体背面用切割带集成膜1的生产方法进行生产。例如， 将半导体背面用膜2粘贴并集成到切割带上从而制备半导体背 面用切割带集成膜，半导体器件可以用该切割带集成膜生产。 在此情况下，使用半导体背面用膜2的半导体器件的生产方法包 括以下步骤：使用上述半导体背面用切割带集成膜构成半导体 器件的生产方法的步骤，和作为与其组合的，以半导体背面用 膜可与切割带的压敏粘合剂层接触的方式粘贴半导体背面用膜 和切割带的另外步骤。

可选择地，半导体背面用膜2可以通过直接粘贴至半导体晶 片而不与切割带集成来使用。在这种情况下，使用半导体背面 用膜2的半导体器件的生产方法包括以下步骤：将半导体背面用 膜粘贴至半导体晶片的步骤随后以半导体背面用膜可与切割带 的压敏粘合剂层接触的方式，将切割带粘贴至具有粘贴的半导 体晶片的半导体背面用膜的步骤，代替在使用上述半导体背面 用切割带集成膜的半导体器件的生产方法中将半导体晶片粘贴 至半导体背面用切割带集成膜上的步骤。

在其另一个应用实施方案中，半导体背面用膜2可以直接粘 贴至通过将半导体晶片切割成单个化的半导体芯片而制备的半 导体芯片。在此情况下，使用半导体背面用膜2的半导体器件的 生产方法包括，例如，至少粘贴切割带至半导体晶片的步骤， 切割半导体晶片的步骤，拾取由切割获得的半导体元件的步骤， 倒装芯片连接半导体元件至被粘物上的步骤，和粘贴半导体背 面用膜至半导体元件的步骤。

(安装步骤)

首先，如图2A所示，将任选地在半导体背面用切割带集成 膜1的半导体背面用膜2上设置的隔离膜适当剥离并将半导体晶 片4粘贴至半导体背面用膜2上以通过粘合和保持来固定(安装 步骤)。在此情况下，半导体背面用膜2处于未固化状态(包括半 固化状态)。此外，将半导体背面用切割带集成膜1粘贴至半导 体晶片4的背面。半导体晶片4的背面是指与电路面相对的面(也 称为非电路面、非电极形成面等)。粘贴方法不特别限制，但优 选通过压接的方法。压接通常在用加压装置如加压辊加压的同 时进行。

(切割步骤)

接着，如图2B所示，切割半导体晶片4。从而，将半导体 晶片4切断成规定尺寸并单个化(成形为小片)，以生产半导体芯 片5。例如，所述切割根据常规方法从半导体晶片4的电路面侧 进行。此外，本步骤可采取例如形成到达半导体背面用切割带 集成膜1的切口(slit)的称作完全切断的切断方法。用于本步骤 的切割设备没有特别限定，可使用常规已知的设备。此外，由 于半导体晶片4通过具有半导体背面用膜的半导体背面用切割 带集成膜1粘合并固定，因此可抑制芯片破裂和芯片飞散，以及 还可抑制半导体晶片4的损坏。在这点上，当半导体背面用膜2 由包含环氧树脂的树脂组合物形成时，即使当将其通过切割切 断时，也可抑制或防止在切断面处发生粘合剂从半导体背面用 膜的压敏粘合剂层挤出。结果，可抑制或防止切断面自身的再 粘贴(粘连(blocking))，从而可进一步方便地进行以下要描述的 拾取。

在半导体背面用切割带集成膜1扩展(expand)的情况下，扩 展可使用常规已知的扩展设备进行。所述扩展设备具有能够推 动半导体背面用切割带集成膜1向下通过切割环的环形外环，和 直径小于外环并支撑半导体背面用切割带集成膜的内环。由于 该扩展步骤，可以防止相邻的半导体芯片在以下要描述的拾取 步骤中通过彼此接触而损坏。

(拾取步骤)

为了收集粘合并固定至半导体背面用切割带集成膜1的半 导体芯片5，如图2C所示进行半导体芯片5的拾取，以将半导体 芯片5与半导体背面用膜2一起从切割带3剥离。拾取方法没有特 别限定，可采用常规已知的各种方法。例如，可提及包括用针 状物从半导体背面用切割带集成膜1的基材31侧向上推动各半 导体芯片5，并用拾取设备拾取推起的半导体芯片5的方法。在 这点上，拾取的半导体芯片5的背面用半导体背面用膜2保护。

(倒装芯片连接步骤)

如图2D所示，拾取的半导体芯片5根据倒装芯片接合法(倒 装芯片安装法)固定于被粘物如基板上。具体地，以半导体芯片 5的电路面(也称为正面、电路图案形成面或电极形成面)能够面 向被粘物6这样的方式，根据常规方式将半导体芯片5固定至被 粘物6。例如，在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块51对着粘 贴至被粘物6的连接垫的连结用导电性材料(如焊料)61压下的 同时熔融导电性材料从而能够确保半导体芯片5和被粘物6之间 的电连接，并由此将半导体芯片5固定至被粘物6(倒装芯片接合 步骤)。在此情况下，在半导体芯片5和被粘物6之间形成间隙， 并且间隙的距离通常为约30μm至300μm。在将半导体芯片5倒 装芯片接合(倒装芯片连接)至被粘物6上之后，重要的是将半导 体芯片5和被粘物6的相对面以及间隙洗涤，然后将封装材料(如 包封树脂)填充入间隙中以将两者密封。

作为被粘物6，可使用各种基板如引线框和电路板(如布线 电路板)。基板的材料没有特别限定，可提及陶瓷基板和塑料基 板。塑料基板的实例包括环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板和 聚酰亚胺基板。

在倒装芯片接合步骤中，凸块和导电性材料的材料没有特 别限定，其实例包括焊料(合金)如锡-铅系金属材料、锡-银系金 属材料、锡-银-铜系金属材料、锡-锌系金属材料和锡-锌-铋系 金属材料，以及金系金属材料和铜系金属材料。

此外，在倒装芯片接合步骤中，将导电性材料熔融以连接 半导体芯片5的电路面侧处的凸块和在被粘物6表面上的导电性 材料。导电性材料熔融时的温度通常为约260℃(例如，250℃至 300℃)。通过用环氧树脂等形成半导体背面用膜，可使本发明 的半导体背面用切割带集成膜具有能够承受在倒装芯片接合步 骤中的高温的耐热性。

在本步骤中，优选洗涤半导体芯片5和被粘物6之间的相对 面(电极形成面)以及间隙。在洗涤时使用的洗涤液没有特别限 定，其实例包括有机洗涤液或水性洗涤液。在本发明的半导体 背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜具有对洗涤液的耐溶 剂性，并且对这些洗涤液基本不具有溶解性。因此，如上所述， 可采用各种洗涤液作为该洗涤液，并可通过任何常规方法而无 需任何特别的洗涤液实现该洗涤。

接着，进行封装步骤以封装倒装芯片结合的半导体芯片5 和被粘物6之间的间隙。封装步骤使用包封树脂进行。在此情况 下的封装条件不特别限制，但包封树脂的热固化通常通过在 175℃下加热60秒至90秒来进行。然而，在本发明中，固化不限 于此，例如，可在165至185℃的温度下进行几分钟。在这个时 候，由于基于整个半导体背面用膜2，在半导体背面用膜2中的 无机填料为70重量％以上，所以弹性贮能模量相当高。结果， 在包封树脂的热固化时产生的半导体元件的翘曲可以有效地得 以抑制或防止。此外，通过该步骤，半导体背面用膜2可完全或 几乎完全固化并能够以优良的紧密粘合性粘贴至半导体元件的 背面。此外，即使当根据本发明的半导体背面用膜2处于未固化 状态时，该膜也可在封装步骤时与封装材料一起热固化，因此 不需要增加新的半导体背面用膜2的热固化步骤。

包封树脂没有特别限定，只要该材料为具有绝缘性的树脂 (绝缘树脂)即可，并且可在已知的封装材料如包封树脂中适当 选择和使用。包封树脂优选具有弹性的绝缘树脂。包封树脂的 实例包括含环氧树脂的树脂组合物。作为环氧树脂，可提及以 上示例的环氧树脂。此外，由包含环氧树脂的树脂组合物组成 的包封树脂除了环氧树脂之外还可包含除了环氧树脂之外的热 固性树脂(如酚醛树脂)或热塑性树脂。此外，也可利用酚醛树 脂作为环氧树脂用固化剂，作为此类酚醛树脂，可提及以上示 例的酚醛树脂。

根据使用本发明的半导体背面用切割带集成膜1或半导体 背面用膜2生产的半导体器件(倒装芯片安装的半导体器件)，将 半导体背面用膜粘贴至半导体芯片的背面，因此，可以以优良 的可见度实施激光标识。特别地，即使该标识方法是激光标识 方法，激光标识也能够以优良的对比度实施，因而可以观察通 过具有良好可见度的激光标识实施的各种信息(例如，文字信息 和图形信息)。在激光标识时，可利用已知的激光标识设备。此 外，作为激光器，可以利用各种激光器如气体激光器、固态激 光器和液体激光器。具体地，作为气体激光器，可利用任何已 知的气体激光器而没有特别限制，但二氧化碳激光器(CO₂激光 器)和准分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF 激光器等)是合适的。作为固态激光器，可利用任何已知的固态 激光器而没有特别限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和 YVO₄激光器是合适的。

由于使用本发明的半导体背面用切割带集成膜1或半导体 背面用膜2生产的半导体器件为通过倒装芯片安装法安装的半 导体器件，所以该器件与通过模片接合安装法安装的半导体器 件相比具有薄型化和小型化的形状。因此，可适当采用倒装芯 片安装的半导体器件作为各种电子器件和电子部件或其材料和 构件。具体地，作为其中利用本发明的倒装芯片安装的半导体 器件的电子器件，可提及所谓的“移动电话”和“PHS”，小型计 算机[例如，所谓的“PDA”(手持终端)，所谓的“笔记本尺寸的个 人计算机”，所谓的“Net Book(商标)”和所谓的“可穿戴计算机” 等]，具有“移动电话”和计算机集成形式的小型电子器件，所谓 的“Digital Camera(商标)”，所谓的“数码摄像机”，小型电视机， 小尺寸游戏机，小型数字音频播放机，所谓的“电子记事本”， 所谓的“电子词典”，用于所谓的“电子书”的电子器件终端，移 动电子器件(可携带电子器件)如小型数字型手表等。不必说， 也可提及除了移动器件之外的电子器件(固定型电子器件等)， 例如所谓的“桌面个人计算机”、薄型电视机、用于记录和复制 的电子器件(硬盘录像机(hard disk recorders)、DVD播放机等)、 投影仪和微型机等。此外，电子部件或用于电子器件和电子部 件的材料和构件不特别限制，其实例包括用于所谓“CPU”的部 件和用于各种记忆器件(所谓的“存储器”、硬盘等)的构件。

实施例

以下将详细地示例性描述本发明的优选实施例。然而，除 非超过其宗旨，本发明不限于以下实施例。此外，除非另外说 明，在各实施例中的份为重量基准。

(实施例1)

<倒装芯片型半导体背面用膜的制备>

基于100份环氧树脂(商品名“HP4032D”，由DIC，Inc.制造)， 将40份苯氧基树脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造)、129 份酚醛树脂(商品名“MEH-8320”，由Meiwa Chemicals，Co.，Ltd. 制造)、663份球形二氧化硅(商品名“SO-25R”，由Admatechs Co. Ltd.制造，平均粒径0.5μm)作为无机填料、14份染料(商品名“OIL  BLACK BS”，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和1份 热固化促进催化剂(商品名“2PHZ-PW”，由Shikoku Chemicals  Corporation制造)溶解于甲乙酮中，以制备具有固体浓度为23.6 重量％的粘合剂组合物溶液。

将该粘合剂组合物溶液施涂至作为剥离衬垫(隔离膜)的已 进行硅酮剥离处理的由具有厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二 酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以制 备具有厚度(平均厚度)为60μm的倒装芯片型半导体背面用膜 A。

<半导体背面用切割带集成膜的制备>

使用手动辊将倒装芯片型半导体背面用膜A粘贴至切割带 (商品名“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造，基材的平 均厚度65μm，压敏粘合剂层的平均厚度10μm)的压敏粘合剂 层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。

(实施例2)

<倒装芯片型半导体背面用膜的制备>

基于100份环氧树脂(商品名“HP4032D”，由DIC，Inc.制造)， 将40份苯氧基树脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造)、129 份酚醛树脂(商品名“MEH-8320”，由Meiwa Chemicals，Co.，Ltd. 制造)、1137份球形二氧化硅(商品名“SO-25R”，由Admatechs Co. Ltd.制造，平均粒径0.5μm)、14份染料(商品名“OIL BLACK BS”， 由Orient ChemicalIndustries Co.，Ltd.制造)和1份热固化促进催 化剂(商品名“2PHZ-PW”，由Shikoku Chemicals Corporation制 造)溶解于甲乙酮中，以制备具有固体浓度为23.6重量％的粘 合剂组合物溶液。

将该粘合剂组合物溶液施涂至作为剥离衬垫(隔离膜)的已 进行硅酮剥离处理的由具有厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二 酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，从而 制备具有厚度(平均厚度)为60μm的倒装芯片型半导体背面用膜 B。

<半导体背面用切割带集成膜的制备>

使用手动辊将倒装芯片型半导体背面用膜B粘贴至切割带 (商品名“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造，基板的平 均厚度65μm，压敏粘合剂层的平均厚度10μm)的压敏粘合剂 层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。

(比较例1)

<倒装芯片型半导体背面用膜的制备>

基于100份环氧树脂(商品名“HP4032D”，由DIC，Inc.制造)， 将40份苯氧基树脂(商品名“EP4250”，由JER Co.，Ltd.制造)、129 份酚醛树脂(商品名“MEH-8320”，由Meiwa Chemicals，Co.，Ltd. 制造)、426份球形二氧化硅(商品名“S O-25R”，由Admatechs Co. Ltd.制造，平均粒径0.5μm)、14份染料(商品名“OIL BLACK BS”， 由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和1份热固化促进催 化剂(商品名“2PHZ-PW”，由Shikoku Chemicals Corporation制 造)溶解于甲乙酮中，以制备具有固体浓度为23.6重量％的粘 合剂组合物溶液。

将该粘合剂组合物溶液施涂至作为剥离衬垫(隔离膜)的已 进行硅酮剥离处理的由具有厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二 酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以制 备具有厚度(平均厚度)为60μm的倒装芯片型半导体背面用膜 C。

<半导体背面用切割带集成膜的制备>

使用手动辊将倒装芯片型半导体背面用膜C粘贴至切割带 (商品名“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造，基板的平 均厚度65μm，压敏粘合剂层的平均厚度10μm)的压敏粘合剂 层上，由此制备半导体背面用切割带集成膜。

(半导体封装的翘曲度)

半导体芯片的翘曲的存在通过测定半导体封装的翘曲度评 价。

即，在隔离膜首先从半导体背面用切割带集成膜剥离后， 将半导体晶片(直径：8英寸，厚度：200μm；硅镜面晶片)在70℃ 下通过辊压接合粘贴至半导体背面用膜上，并进一步进行切割。 所述切割以完全切断进行，以成为10mm见方的芯片尺寸。在这 点上，粘贴条件和切割条件如下。

[粘贴条件]

粘贴设备：商品名“MA-3000II”，由Nitto Seiki Co.，Ltd.制 造

粘贴速度：10mm/分钟

粘贴压力：0.15MPa

粘贴时的阶段温度：70℃

[切割条件]

切割设备：商品名″DFD-6361″，由DISCO Corporation制造

切割环：″2-8-1″(由DISCO Corporation制造)

切割速度：30mm/秒

切割刀：

Z1：“203O-SE 27HCDD”，由DISCO Corporation制造

Z2：“203O-SE 27HCBB”，由DISCO Corporation制造

切割刀旋转速度：

Z1：40,000r/分钟

Z2：45,000r/分钟

切割方法：阶梯切割

晶片芯片尺寸：10.0mm见方

接下来，通过用针状物从半导体背面用切割带集成膜的切 割带侧向上推动，将通过切割获得的半导体芯片与倒装芯片型 半导体背面用膜一起从压敏粘合剂层拾取。拾取的条件如下。

[拾取条件]

拾取设备：商品名“SPA-300”，由Shinkawa Co.，Ltd.制造

拾取针状物的数量：9个针状物

针状物的推动速度：20mm/s

针状物的推动距离：500μm

拾取时间：1秒

切割带扩展量：3mm

随后，将半导体芯片用倒装芯片法倒装芯片结合至BT基板 [使用BT树脂(双马来酰亚胺三嗪类树脂)的基板，由 Mitsubishi Gas Chemical Co.，Inc.]上。在此情况下，该接合 如下进行：将半导体芯片的电路面面向BT基板，并且将在半导 体芯片的电路面上形成的凸块与粘贴至BT基板的连接垫的连 结用导电性材料(焊料)接触，并在加压下升温至260℃从而熔融 导电性材料，随后冷却至室温。此外，将底充胶(underfill  material)作为包封树脂填充入半导体芯片和BT基板之间的间隙 中。底充胶(封装材料)的厚度为20μm。然后，半导体封装在 165℃条件下加热2小时后，测定半导体封装的翘曲度。

翘曲度的测量通过首先将半导体封装放置在平板上以便 BT基板位于底侧，并测量BT基板从平板上浮起的高度，即翘曲 度(μm)。测量在如下条件下进行：使用接触型表面粗糙度仪 (DEKTAK8，由Veeco Instrument Inc.制造)，测量速度1.5mm/s， 负荷1g。作为测量结果，当翘曲度为100μm以下的情况，评级 为“良好”，翘曲度超过100μm的情况评级为“差”。结果示于表1。

表1

(结果)

由表1的结果可以理解，证实当半导体背面用膜是如实施例 1和2所示的以70重量％以上的比例含有无机填料的膜时，半导 体封装的翘曲度可以在所有情况下抑制至100μm以下。另一方 面，当半导体背面用膜是如比较例1中所示的无机填料的含量为 60重量％的膜时，半导体封装的翘曲度不能降低至100μm以下。

虽然已详细地并参考其具体实施方案描述本发明，但对于 本领域技术人员，其中可进行各种变化和改进而不背离其范围 将显而易见。

本申请基于2010年7月20日提交的日本专利申请 2010-163052，在此将其全部内容引入以作参考。