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用于精炼冶金级硅以生产太阳能级硅的方法和设备

摘要

本发明提供了用于精炼冶金硅以生产用于光伏电池的太阳能级硅的方法和设备。在真空炉中的坩埚容纳冶金硅与诸如二硅化钙的还原剂的混合物。使该混合物在非氧化条件下在炉内在氩气分压下熔融。熔融之后,使氩气分压降低以产生沸腾且该方法以定向凝固结束。该方法将诸如磷的杂质减少到与太阳能级硅相容的含量并显著减少其它杂质。

著录项

  • 公开/公告号CN102369301A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GT晶体系统有限责任公司;

    申请/专利号CN200980152614.9

  • 申请日2009-11-03

  • 分类号C22B5/04;C01B33/037;C30B11/00;C30B29/06;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘慧

  • 地址 美国特拉华州

  • 入库时间 2023-12-18 04:34:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-02-12

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C22B5/04 申请公布日:20120307 申请日:20091103

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-04-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22B5/04 申请日:20091103

    实质审查的生效

  • 2012-03-07

    公开

    公开

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