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无硅通孔低成本图像传感器封装结构的实现方法

摘要

本发明涉及一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构的实现方法,所述结构包括芯片本体(1),在芯片本体的上表面设置隔离层(5),在隔离层上设置透光盖板(6);在芯片本体上形成硅沟槽(8);在芯片本体下表面、硅沟槽(8)侧壁及芯片内部钝化层(2)的下表面选择性的设置绝缘层(9);在芯片内部钝化层(2)和芯片内部金属层(3)上形成贯穿孔(10);在绝缘层(9)表面及贯穿孔(10)内选择性的形成金属线路层(11);在绝缘层(9)及金属线路层(11)上选择性的设置线路保护层(12);在金属线路层(11)露出线路保护层(12)的地方设置焊球(13)本发明提供了具有结构简单、互联可靠性好、工艺简单、低成本的特点的无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构,以及实现这种结构的工艺方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102339844A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江阴长电先进封装有限公司;

    申请/专利号CN201110294774.6

  • 申请日2011-10-08

  • 分类号

  • 代理机构江阴市同盛专利事务所;

  • 代理人唐纫兰

  • 地址 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号

  • 入库时间 2023-12-18 04:25:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/146 申请公布日:20120201 申请日:20111008

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-03-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20111008

    实质审查的生效

  • 2012-02-01

    公开

    公开

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