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用于外延剥离的多个堆栈沉积

摘要

本发明的实施例提供一种含有布置于衬底上的多个磊晶堆栈的薄膜堆栈,及一种用于形成此薄膜堆栈的方法。在一实施例中,该外延堆栈含有布置于该衬底上的第一牺牲层、布置于该第一牺牲层上的第一外延膜、布置于该第一外延膜上的第二牺牲层,及布置于该第二牺牲层上的第二外延膜。该薄膜堆栈可进一步含有布置于牺牲层上的额外的外延膜。通常,所述外延膜含有砷化镓合金,且所述牺牲层含有砷化铝合金。方法提供通过在外延剥离(ELO)过程期间蚀刻掉所述牺牲层而自该衬底移除所述外延膜。所述外延膜可用作光伏电池、激光二极管,或其它器件或材料。

著录项

  • 公开/公告号CN102301450A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-12-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 奥塔装置公司;

    申请/专利号CN200980155968.9

  • 发明设计人 何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;

    申请日2009-12-07

  • 分类号H01L21/20;H01L21/306;

  • 代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司;

  • 代理人周靖

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-18 04:08:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-30

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/20 申请公布日:20111228 申请日:20091207

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-02-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20091207

    实质审查的生效

  • 2011-12-28

    公开

    公开

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