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樊晶美; 王良臣; 刘志强;
中国电子学会;
广州市科协;
氮化镓; 外延层; 拉曼光谱; 激光剥离; 外延材料; 品格系数; 热膨胀系数;
机译:基于有限元方法的激光剥离GaN材料的热弹性应力场研究
机译:从蓝宝石衬底上进行激光剥离(LLO)之前和之后,GaN外延层表面和GaN /蓝宝石界面处的应变
机译:蓝宝石衬底通过激光剥离技术用于GaN外延生长的复用技术
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:了解机械剥离石墨上GaN外延层的生长机理
机译:通过激光分子束外延生长在GaN模板上的同质外延GaN纳米壁的结构,光学和电子特性
机译:外延剥离对GaInp / Gaas异质结中界面复合和激光冷却的影响。
机译:使用非粘结激光剥离技术制备gan和III氮化物合金独立式外延膜
机译:利用激光辅助外延剥离制造GaN半导体结构的方法
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
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