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王曦; 孙佳胤; 武爱民; 陈静; 王曦1;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050;
GaN; SOI; 热应力; MEMS;
机译:基于多孔材料的具有缓冲层的硅基板上的异质外延GaN膜
机译:Si衬底上生长的GaN外延层的层间结构设计和热应力分析
机译:计算在重要技术衬底上生长的GaN外延层中的残余热应力
机译:硅基衬底上GaN外延层中热应力的模拟
机译:使用新型前体新戊硅烷通过化学气相沉积进行的硅基外延。
机译:残余热应力对氮化硅基复合材料力学性能的影响
机译:预处理硅基板对氢化物氢化物气相外延法生长的GaN膜性能的影响
机译:分子束外延的新型硅基材料和器件结构
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:具有防止在硅基板上形成的GaN外延层裂纹的半导体装置
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
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