改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法

摘要

本发明公开一种改进的激光准剥离消除GaN外延片残余应力的方法，很好的释放晶格失配应力和热失配应力。本发明将GaN外延片加热，在200～900℃下，使用无损激光剥离技术在低于将GaN和蓝宝石衬底剥离的能量阈值下进行剥离，或达到激光剥离能量阈值，但激光间或扫描使GaN和蓝宝石界面形成网状分离的不完全分离状态，由此达到释放GaN外延片残余应力的目的。使用加热的情况下进行激光预剥离的方法，可以更有效更大程度上的释放残余应力，并减小损伤。