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许军; 刘海港; 王帅; 高伟; 孙强;
中国电子科技集团公司,第十八研究所,天津,300381;
MOCVD技术; 外延层剥离技术; 掩模工艺;
机译:InGaP / GaAs / Ingaas太阳能电池的外延升降(ELO),GaAs中间细胞中的量子点
机译:缓冲层制备和Bi浓度对气源分子束外延生长InGaAsBi外延层的影响
机译:通过氧化GaAs上超薄Al外延层制备的结晶AlO_x隧道势垒进行有效的自旋注入
机译:ELO法和SAB法制备GaAs / Si 2结太阳能电池
机译:ELO1的分离和鉴定,ELO1是酿酒酵母中脂肪酸延伸所需的基因。
机译:1.0-1.16-eV光子应用中接近晶格匹配条件的GaAsSbN / GaAs外延层中Sb和N的掺入相互作用
机译:基于GaAs外延层对微系统应用的GaAs外延层的肖特基场晶体管电神法诊断的特征
机译:应变高掺杂p型Gaas / Gaasp外延层中的拉曼散射。
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
机译:制备具有在GaAs衬底上沉积的GaN外延层的外延晶片的方法
机译:高相位调制效率的外延层结构InGaAsP / InP脊形波导相位调制器的制备方法
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