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通过用于晶圆到晶圆结合的化学机械抛光工艺来形成沟道式电容器和通孔连接的方法

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摘要

通过沉积绝缘层（26，30）和导电层（28，32）以及使用化学机械抛光来形成沟道式电容器。所述电容器连接到通孔（48）用于与其他器件集成。包括所述电容器和通孔的所述晶圆（20）结合到另一个晶圆（74）。

公开/公告号CN102272904A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-07

原文格式PDF
申请/专利权人马克西姆综合产品公司;
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申请/专利号CN201080004366.6
发明设计人 J.P.埃卢尔;K.特兰;A.伯格蒙特;
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申请日2010-01-07
分类号H01L21/334;H01L27/06;H01L29/94;H01L21/768;H01L23/48;H01L21/60;H01L25/065;H01L21/02;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人薛峰
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 04:04:27

1. 通过用于晶圆到晶圆结合的化学机械抛光工艺来形成沟道式电容器和通孔连接的方法 [P] . 中国专利： CN102272904A . 2011-12-07
2. 利用多晶锗硅通孔形成MEMS晶圆电连接的方法 [P] . 中国专利： CN105967140B . 2017.08.25
3. METHOD OF FORMING TRENCH CAPACITORS AND VIA CONNECTIONS BY A CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS FOR WAFER-TO-WAFER BONDING [P] . 世界知识产权组织专利： WO2010083092A1 . 2010-07-22

机译：晶圆间键合的化学机械抛光工艺形成沟槽电容器和通过连接的方法
4. WAFER SUPPORT MEMBER, A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND A WAFER POLISHING UNIT, CAPABLE OF BEING APPLIED TO A FINAL POLISHING PROCESS OF A WAFER [P] . 韩国专利： KR20110037848A . 2011-04-13

机译：晶圆支持部件，一种用于制造晶圆的相同方法和晶圆抛光单元的方法，能够应用于晶圆的最终抛光工艺
5. SOI Wafer and Method of Forming the SOI Wafer with Through the Wafer Contacts and Trench Based Interconnect Structures that Electrically Connect the Through the Wafer Contacts [P] . 美国专利： US2011260248A1 . 2011-10-27

机译： SOI晶圆和通过晶圆接触和电连接晶圆接触的基于沟槽的互连结构形成SOI晶圆的方法