法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-10-19
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/3205 申请公布日:20111109 申请日:20091207
发明专利申请公布后的驳回
2011-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3205 申请日:20091207
实质审查的生效
2011-11-09
公开
公开
机译: 半导体器件,例如金属氧化物半导体场效应晶体管,包括绝缘体衬底上的硅,该绝缘体衬底上具有半导体层,隔离膜,栅电极,中间层隔离膜和填充的接触孔
机译: 具有在源极/漏极触点和源极/漏极区域之间设置的绝缘层的金属-绝缘体-半导体隧穿触点
机译: 具有金属-绝缘体-半导体接触结构以减少肖特基势垒的金属-氧化物-半导体场效应晶体管