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机译:基于超薄原子层沉积的Al2O3和后金属化退火的金属-绝缘体-半导体电容器中的栅极隧穿电流的精确建模
INAOE, Elect Dept, Luis Enrique Erro 1, Puebla 72840, Mexico;
INAOE, Elect Dept, Luis Enrique Erro 1, Puebla 72840, Mexico;
INAOE, Elect Dept, Luis Enrique Erro 1, Puebla 72840, Mexico;
UACJ, Ciudad Juarez 32310, Chihuahua, Mexico;
Ctr Invest & Estudios Avanzados CINVESTAV, Queretaro 76230, Queretaro, Mexico;
Aluminum oxide; Atomic layer deposition; Gate leakage current; Conduction mechanism;
机译:基于超薄原子层沉积Al_2O_3的金属-绝缘体-半导体电容器栅隧穿电流参数提取
机译:基于超薄原子层沉积TiO_2的金属-绝缘体-半导体器件的栅极建模
机译:N_2中氧调制和金属化后退火后超薄HfO_2基MIM器件的性能
机译:使用超薄(1nm)栅极氧化物模拟100nm以下NMOS器件的栅极隧穿电流效应
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:微波退火介电增强沉积原子层的Al2O3 / ZrO2 / Al2O3 MIM电容器
机译:通过微波退火的原子层沉积Al2O3 / ZrO2 / Al2O3 MIM电容的介电增强