外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法

摘要

本发明公开了一种外延生长前深沟槽中的氧化膜刻蚀和清洗工艺方法，包括如下步骤：(1)深沟槽刻蚀；(2)热氧化在深沟槽内形成牺牲氧化膜；(3)采用稀释氢氟酸或氟化氢蒸汽去除深沟槽里的牺牲氧化膜；(4)采用SPM、APM和HPM清洗，然后采用异丙醇干燥；(5)外延生长。该方法可达到完全去除氧化膜并充分清洗和干燥的目的，使后续的外延生长顺利完成。