一种减少晶片减薄后翘曲的方法

摘要

本发明公开的减少晶片减薄后翘曲的方法，是晶片减薄前在晶片背面沿X轴和Y轴进行正交划片，X轴与Y轴矩阵宽度为1um-100mm，所述X轴平行于衬底定位边。该方法通过在减薄前预划片的工艺，沿X轴和Y轴正交划出划痕，可以释放损伤层的相互应力，为损伤层的膨胀或内缩预留空间，本发明能有效减少晶片翘曲，提高制造中的成品率，更利于激光剥离和晶片绑定等优点。