光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备

摘要

本发明提供了光掩模等离子体蚀刻过程中的原位室干法清洁方法和设备。本发明的实施例包括用于在光掩模等离子体蚀刻之后原位室干法清洁的方法。在一个实施例中，该方法包括：将光掩模放置在支撑底座上；将处理气体引入处理室中；由处理气体形成等离子体；在存在等离子体的情况下蚀刻设置在光掩模上的含铬层；从支撑底座移除光掩模；将伪衬底放置在底座上；以及通过在伪衬底被放置在底座上时使含O2的清洁气体流动通过处理室，来执行原位干法清洁处理。