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使用宽度可变的掩模开口形成两个或更多个器件结构的半导体工艺

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摘要

用于半导体器件的方法和结构可以使用不同宽度的掩模开口，以形成多种不同深度、不同材料和不同功能的结构。例如，描述了用于形成浅沟槽隔离、深隔离、沟槽电容器、基极、发射极和集电极以及用于横向双极晶体管的其它结构的处理工艺和结构。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-03

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/762 申请公布日:20110518 申请日:20101111

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-09-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20101111

实质审查的生效
2011-05-18

公开

公开

1. 使用宽度可变的掩模开口形成两个或更多个器件结构的半导体工艺 [P] . 中国专利： CN102064129A . 2011-05-18
2. 半导体工艺中的测试结构、测试结构的形成及掩模的再利用 [P] . 中国专利： CN101802995B . 2012.02.29
3. A SEMICONDUCTOR PROCESS USING MASK OPENINGS OF VARYING WIDTHS TO FORM TWO OR MORE DEVICE STRUCTURES [P] . 韩国专利： KR101178970B1 . 2012-08-31

机译：利用变化宽度的掩模开口形成两个或多个设备结构的半导体工艺
4. SEMICONDUCTOR PROCESS USING MASK OPENINGS OF VARYING WIDTHS TO FORM TWO OR MORE DEVICE STRUCTURES [P] . 美国专利： US2011115047A1 . 2011-05-19

机译：利用变化宽度的面罩开口形成两个或多个设备结构的半导体工艺
5. SEMICONDUCTOR PROCESS USING A MASK OPENING WHOSE WIDTH IS CHANGED TO FORM TWO OR MORE APPARATUS STRUCTURES [P] . 韩国专利： KR20110053168A . 2011-05-19

机译：使用宽度被改变为形成两个或更多个装置结构的面罩的半导体工艺