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采用离子注入在单晶硅衬底上形成碳化硅薄层的方法

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一种采用离子注入在单晶硅衬底上形成碳化硅薄层的方法，在硅衬底上利用碳离子注入，然后进行高温退火，在硅衬底表面上生成一层高质量的单晶硅SiC层，从而使得高质量发光材料可在SiC层上生长出来。

著录项

公开/公告号CN102034906A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-27

原文格式PDF
申请/专利权人上海凯世通半导体有限公司;
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申请/专利号CN200910196329.9
发明设计人陈炯;
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申请日2009-09-24
分类号H01L33/00(20060101);
代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人徐茂泰;张妍
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼单元1
入库时间 2023-12-18 02:09:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-06

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20110427 申请日:20090924

发明专利申请公布后的驳回
2011-06-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20090924

实质审查的生效
2011-04-27

公开

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