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用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法

摘要

一种用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法,属于信息技术领域。本发明的技术特征是通过绕水平轴将石墨舟旋转180度的方式使已完成生长使命的生长液在重力作用下自动地从外延片上脱落下来,从而可避免由较高的微探尖造成的生长液在微探尖的表面上的残留问题。本发明的效果和益处是能够简单有效地改进基于选择液相外延技术制备的GaAs集成式SNOM传感器的工作性能。

著录项

  • 公开/公告号CN102012438A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201010296998.6

  • 申请日2010-09-26

  • 分类号G01Q60/38;B82Y40/00;

  • 代理机构大连理工大学专利中心;

  • 代理人侯明远

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2023-12-18 02:05:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01Q60/38 申请公布日:20110413 申请日:20100926

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01Q60/38 申请日:20100926

    实质审查的生效

  • 2011-04-13

    公开

    公开

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