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二氧化硅薄膜力学特性测试用薄膜的制备方法

摘要

一种微机电系统技术领域的二氧化硅薄膜力学特性测试用薄膜的制备方法,通过在硅片上依次热氧化生长一层二氧化硅薄膜并涂布一层光刻胶,然后将掩模板置于光刻胶正上方进行曝光并显影后将掩模板的图案转移到基片上,再采用电感耦合等离子刻蚀法进行刻蚀得到方腔结构,最后采用湿法刻蚀方腔结构得到硅支柱结构支撑下的二氧化硅薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN101962167A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201010293704.4

  • 申请日2010-09-27

  • 分类号B81C1/00;B81B3/00;

  • 代理机构上海交达专利事务所;

  • 代理人王锡麟

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2023-12-18 01:43:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/00 公开日:20110202 申请日:20100927

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C1/00 申请日:20100927

    实质审查的生效

  • 2011-02-02

    公开

    公开

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