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半导体激光器件、半导体激光器件的制造方法以及光装置

摘要

本发明的半导体激光器件具有:具有主面的支承部件;经第一接合层接合在主面上的第一半导体激光元件;经第二接合层与第一半导体激光元件相邻地接合在主面上的第二半导体激光元件。另外,第二接合层的熔点低于第一接合层的熔点,从主面到第二半导体激光元件的第四表面的第一高度大于从主面到第一半导体激光元件的第二表面的第二高度。

著录项

  • 公开/公告号CN101958508A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三洋电机株式会社;

    申请/专利号CN201010280706.X

  • 申请日2010-07-08

  • 分类号H01S5/026;H01S5/40;G11B7/125;

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本大阪

  • 入库时间 2023-12-18 01:35:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/026 申请公布日:20110126 申请日:20100708

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-01-26

    公开

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