首页> 中国专利> 半导体激光器件制造方法和半导体激光器件

半导体激光器件制造方法和半导体激光器件

摘要

公开了一种半导体激光器件制造方法,依次包括:第一老化步骤S1、第一检查步骤S2、安装步骤S3、第二老化步骤S4和第二检查步骤S5。由于在半导体激光器芯片上以高温直流电流通电的第一老化步骤S1在安装步骤S3之前执行,因此能够减小安装前半导体激光器芯片的阈值电流和驱动电流。

著录项

  • 公开/公告号CN100585968C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2010-01-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;

    申请/专利号CN200510120290.4

  • 发明设计人 竹冈忠士;石仓卓郎;

    申请日2005-11-09

  • 分类号H01S5/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-12-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/00 授权公告日:20100127 终止日期:20141109 申请日:20051109

    专利权的终止

  • 2010-01-27

    授权

    授权

  • 2006-07-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-05-17

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号