法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/00 授权公告日:20100127 终止日期:20141109 申请日:20051109
专利权的终止
2010-01-27
授权
授权
2006-07-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-05-17
公开
公开
机译: 半导体激光器件,半导体激光器件安装结构,半导体激光器件制造方法和半导体激光器件安装方法
机译: 使用表面发射型半导体激光器件的制造方法形成的VCSEL器件,平板发射型半导体激光器件的制造方法,使用该平板发射型半导体激光器件的光传输模块,光收发器模块,光通信系统
机译: 宽带半导体激光器件和使用该宽带半导体激光器件的宽带半导体激光器阵列,以及用于制造宽带半导体激光器件的方法