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一种低温沉积含银类金刚石薄膜的方法

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摘要

一种低温沉积含银类金刚石薄膜的方法属于薄膜沉积技术领域，该方法是：采用已有的真空室及工艺配置，在室温下，调节基底至End-Hall型离子源之间的距离；调节真空室的真空度达到1×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-08-29

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/27 公开日:20110126 申请日:20101103

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-03-23

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/27 申请日:20101103

实质审查的生效
2011-01-26

公开

公开

1. 一种低温沉积含银类金刚石薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101956179A . 2011-01-26
2. 一种制备含锗和银的类金刚石薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN103590007A . 2014-02-19
3. Magnetically enhanced low temperature-high density plasma-chemical vapor deposition plasma source for depositing diamond and diamond like films [P] . 美国专利： US10227691B2 . 2019-03-12

机译：磁增强低温高密度等离子体化学气相沉积等离子体源，用于沉积金刚石和类金刚石薄膜
4. MAGNETICALLY ENHANCED LOW TEMPERATURE-HIGH DENSITY PLASMA-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PLASMA SOURCE FOR DEPOSITING DIAMOND AND DIAMOND LIKE FILMS [P] . 美国专利： US2019249293A1 . 2019-08-15

机译：磁性增强的低温高密度等离子体化学气相沉积等离子体源，用于沉积金刚石和类金刚石薄膜
5. MAGNETICALLY ENHANCED LOW TEMPERATURE-HIGH DENSITY PLASMA-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PLASMA SOURCE FOR DEPOSITING DIAMOND AND DIAMOND LIKE FILMS [P] . 美国专利： US2017175248A1 . 2017-06-22

机译：磁性增强的低温高密度等离子体化学气相沉积等离子体源，用于沉积金刚石和类金刚石薄膜