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Ⅲ族氮化物单晶锭、Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法

摘要

本发明提供了Ⅲ族氮化物单晶锭、利用所述锭制造的Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法,其中降低了在长度延长生长时的裂纹发生率。所述制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法包括:腐蚀底部衬底的侧面的步骤,以及在底部衬底上外延生长侧面具有晶面的六方晶系Ⅲ族氮化物单晶的步骤。为了降低在长度延长生长时锭的裂纹发生率,有必要抑制在单晶外周上析出多晶或具有不同面取向的晶体。如上所述,通过在底部衬底的侧面上预先腐蚀去除加工变质层,在底部衬底上形成的Ⅲ族氮化物单晶锭的侧面上形成晶面,抑制了多晶或具有不同面取向的晶体的析出,从而降低了裂纹发生率。

著录项

  • 公开/公告号CN101925695A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 住友电气工业株式会社;

    申请/专利号CN200880125738.3

  • 发明设计人 冈久拓司;中畑成二;上村智喜;

    申请日2008-12-24

  • 分类号C30B29/38;C23C16/34;C30B25/18;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人陈海涛

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2023-12-18 01:22:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/38 申请公布日:20101222 申请日:20081224

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-02-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/38 申请日:20081224

    实质审查的生效

  • 2010-12-22

    公开

    公开

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