利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法

摘要

一种利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法，其步骤包括：步骤1：选取一个衬底；步骤2：在衬底上生长低温成核层，利于成核；步骤3：在低温成核层上生长低温缓冲层，可以减少位错密度，提高晶体质量；步骤4：在低温缓冲层上生长极性宽禁带半导体化合物，完成p型金属极性宽禁带半导体的制备。