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闫龙; 宋俊峰; 张源涛;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
宽禁带半导体; 氮化铝镓; 金属有机化合物化学气相沉积; 极化诱导p型掺杂; 热激活载流子; 导电特性;
机译:极性和非极性生长的GaN量子点中的极化诱导的电荷载流子分离
机译:极化诱导的三维电子平板中的载流子输运和约束:AlGaN中合金散射的重要性
机译:极化和p型掺杂对单独吸收和倍增AlGaN日盲雪崩光电二极管光响应的影响
机译:内置极化和载流子溢出对具有AlGaN或AlInGaN电子阻挡层的InGaN量子阱激光器的影响
机译:p型AlGaN的表面光电压瞬变。
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
机译:La2CuO4,YBa2Cu3O(7-Delta)和Tl2Ba2Ca(1-x)GdxCu2O8中的光生载流子:偏振性诱导的极化子配对。
机译:p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译:通过在生长期间掺杂通过使用p型半极性III族氮化物半导体的p型掺杂剂,III族氮化物器件或III族氮化物半导体的制造方法,半极性III族氮化物半导体以及p型IIIa氮化物半导体的制造方法
机译:防止DMOS晶体管极性反转的接线方式;具有电荷载流子区域,该电荷载流子区域包括相互隔开的部分间隔的部分电荷载流子区域,这些区域相互电连接
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