公开/公告号CN107978661A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-01
原文格式PDF
申请/专利权人 吉林大学;
申请/专利号CN201711092025.9
申请日2017-11-08
分类号H01L33/06(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/20(20100101);H01L33/32(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构22201 长春吉大专利代理有限责任公司;
代理人刘世纯;王恩远
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号
入库时间 2023-06-19 05:13:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-06
专利权的转移 IPC(主分类):H01L33/06 专利号:ZL2017110920259 登记生效日:20220422 变更事项:专利权人 变更前权利人:吉林大学 变更后权利人:上海镓旦电子信息有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:130012 吉林省长春市前进大街2699号 变更后权利人:201913 上海市崇明区长兴镇江南大道1333弄11号楼
专利申请权、专利权的转移
2019-12-24
授权
授权
2018-05-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/06 申请日:20171108
实质审查的生效
2018-05-01
公开
公开
技术领域
本发明属于半导体发光器件技术领域,具体涉及一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法。
背景技术
GaN,AlN,InN及其合金化合物都是直接带隙半导体,其禁带宽度可以在0.7eV到6.2eV之内连续调节,对应的发光波长从红外一直延伸到紫外波段,是制备LED的理想材料。但是目前为止,唯一适合作为p型掺杂剂的Mg其室温下在GaN中的激活能高达200meV。这就导致室温下Mg的激活效率不会超过1%,而过高的掺杂浓度又会引入其他问题,如表面退化,极性反转等。因此p型GaN中的空穴浓度很难超过1018cm-3。低的空穴浓度会引入高的串联电阻,在大电流下工作还会导致Droop效应的产生。因此氮化物材料的p型掺杂成为了阻碍大功率高效率LED发展的瓶颈之一。
发明内容
本发明的目的就是为解决上述p型材料中Mg激活效率低问题,用氮极性(外延方向为
本发明的技术方案是:
本发明所设计的一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片(见附图1和附图说明),其特征在于:其从下至上依次由高温氮化处理、带有斜切角的(0001)面蓝宝石衬底1、低温GaN缓冲层2、氮极性GaN模板层3、n-GaN电子注入层5、多量子阱有源层6、极化诱导p型掺杂空穴注入层7组成,其中氮极性GaN模板层3中有SiNx掩膜层4,极化诱导p型掺杂空穴注入层7上有p电极8,将部分表面蚀刻至裸露出n-GaN电子注入层5,其上面有n电极9.
如上所述的一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片,其特征在于:所述的(0001)面蓝宝石衬底1具有一定的斜切角(即蓝宝石衬底1的生长面与蓝宝石(0001)晶面具有一定的夹角),斜切方向为偏[1010]轴方向,斜切角为0.2~4°。
如上所述的一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片,其特征在于:芯片中除(0001)面蓝宝石衬底1,p电极8,n电极9外,均采用MOCVD外延完成,外延过程中,外延生长方向为氮化物的
如上所述的一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片,其特征在于:所述的SiNx掩膜层4位于氮极性GaN模板层3当中,由氨气和硅烷原位生成。
如上所述的一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片,其特征在于:多量子阱有源层6由阱层Inx3Ga1-x3N和垒层GaN交替生长组成,对数在2~5对之间,每个阱层的厚度为2~4nm,每个垒层的厚度为10~15nm,其中0.1≤x3≤0.2。
如上所述的一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片,其特征在于:所述的极化诱导p型掺杂空穴注入层7由掺Mg的AlGaN材料构成,其中Al的组分沿外延生长方向逐渐升高,即从Alx1Ga1-x1N到Alx2Ga1-x2N逐渐过渡,其中0≤x1<x2≤1,厚度为50~100nm。
如上所述的一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片,其特征在于:低温GaN缓冲层2的厚度为10~30nm,氮极性GaN模板层3的厚度为2~3μm,SiNx掩膜层4位于氮极性GaN模板3当中,其距离蓝宝石衬底1为100~500nm,n-GaN电子注入层5的厚度为0.5~1μm,InGaN基多量子阱有源区6中每个阱层Inx3Ga1-x3N的厚度为2~4nm、每个垒层GaN的厚度为10~15nm,极化诱导p型掺杂空穴注入层7的厚度为50~100nm,p电极层8的厚度为10~30nm,n电极层9的厚度为60~100nm。
一种如上所述的带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片的制备方法,其步骤如下:
(1)为了使外延生长方向沿氮化物的
(2)在极化诱导p型掺杂空穴注入层7上表面一侧的区域用ICP方法刻蚀至裸露出n-GaN电子注入层5,得到n-GaN台面;在未刻蚀的极化诱导p型掺杂空穴注入层7上制备p电极8(厚度10~30nm),在露出的n-GaN台面上制备n电极9(厚度60~100nm);p电极的材料可以是Au、Pt等单层材料,Ni-Au、Ni-Pt等二元合金复合材料或Ti-Pt-Au、Ni-Pt-Au等三元复合材料,n电极的材料可以是Ti-Al二元合金复合材料、Ti-Al-Au三元合金复合材料或者Ti-Al-Ni-Au四元合金复合材料,制备电极的方法可采用热蒸镀、电子束蒸镀或磁控溅射方法(n电极指n-GaN台面上生长的电极,没有掺杂;p电极指极化诱导p型掺杂空穴注入层7上生长的电极,没有掺杂)。
本发明的效果和益处:本发明采用带有一定斜切角度的(0001)面蓝宝石作为衬底,通过斜切可以在衬底表面形成原子级的台阶,促进LED芯片在整个外延过程中生长模式向台阶流模式发展,从而提高外延的晶体质量及表面平整度;本发明在氮极性GaN模板层中原位插入具有多孔结构的SiNx掩膜层,从而大幅降低外延层中的位错密度及非故意掺杂的浓度,提高LED的内量子效率;本发明采用氮极性Al组分线性增加的掺Mg的AlGaN代替传统掺Mg的GaN作为蓝紫光LED的空穴注入层,依靠极化电场诱导产生空穴,具有空穴浓度高、温度稳定性好的特点,可以有效提高空穴的浓度及热稳定性,从而提高LED的发光效率;同时Al组分线性增加会导致AlGaN的禁带宽度从下到上逐渐增加,再加上极化电场的作用,使得p型AlGaN在作为空穴注入层的同时起到电子阻挡层的作用,避免了额外制作电子阻挡层,简化了器件结构和工艺。
附图说明
图1:本发明所述带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片的结构示意图;
图2:实施例1制备的氮极性极化诱导p型掺杂的AlGaN及氮极性p型GaN空穴浓度随温度变化对比图;
图3:本发明所述带有极化诱导p型掺杂层的LED能带结构示意图,极化诱导p型掺杂层在作为空穴注入层的同时可以阻挡电子溢出有源区;
图4:实施例1制备的氮极性LED在不同电流注入下的发光谱图。
图中,1为蓝宝石衬底、2为低温GaN缓冲层、3为氮极性GaN模板层、4为SiNx掩膜层、5为n-GaN电子注入层、6为多量子阱有源层、7极化诱导p型掺杂空穴注入层、8为p电极、9为n电极。
具体实施方式
以下结合技术方案和附图详细叙述本发明的具体实施例。
实施例1:
1.采用MOCVD方法,首先将商用带有斜切角的(0001)面蓝宝石衬底(圆形,直径2英寸,斜切方向为偏
氮化的温度为1050℃,反应压强为600mbar,氮化用的气体为体积比1:3的氨气和氮气混合气;低温GaN缓冲层2生长温度为560℃,反应压强为600mbar,生长源为氨气和三乙基镓;氮极性GaN模板层3生长温度为1080℃,反应压强为300mbar,生长源为氨气和三甲基镓;SiNx掩膜层4生长温度为1050℃,反应压强为100mbar,生长源为氨气和硅烷;n-GaN电子注入层5生长温度为1050℃,反应压强为300mbar,生长源为氨气和三甲基镓,掺杂源为硅烷;多量子阱有源层6垒层GaN和阱层InGaN的生长温度分别为870℃和775℃,反应压强为400mbar,垒层的生长源为氨气和三甲基镓,阱层生长源为氨气、三甲基铟和三乙基镓;极化诱导p型掺杂空穴注入层7生长温度为1020℃,反应压强为150mbar,生长源为氨气、三甲基镓和三甲基铝,掺杂源为二茂镁;器件各层具体生长参数见表1。
2.用ICP方法(刻蚀气体为流量比为9:1的氯气和氯化硼,极板功率100w)在极化诱导p型掺杂空穴注入层7上表面一侧的区域刻蚀至裸露出n-GaN电子注入层5,得到n-GaN台面;分别采用热蒸镀方法在未刻蚀的极化诱导p型掺杂空穴注入层7上制备Ni-Au二元合金复合材料的p电极层8(厚度30nm,Ni层厚度为10nm,Au层厚度为20nm,蒸发源分别为Ni金属和Au金属)、在露出的n-GaN台面上制备Ti-Al二元合金复合材料的n电极层9(厚度120nm,Ti层厚度为20nm,Al层厚度为100nm,蒸发源分别为Ti金属和Al金属),从而得到氮极性蓝紫光LED芯片。电极的具体制备工艺见表2。
3.图2所示为本发明器件中所涉及的极化诱导p型掺杂的AlGaN与普通p型GaN空穴浓度随温度变化的对比图。由图中数据可知,在测量的温度范围内(150~450K)极化诱导掺杂得到的样品比普通的p型GaN的空穴浓度更高,而且极化诱导掺杂样品的空穴几乎不随温度的变化而改变。
4.图3所示为器件的能带结构示意图,多量子阱有源区和极化诱导p型掺杂空穴注入层之间存在较大的导带带阶,有源区的电子想要溢出有源区需要克服很高的势垒,因此极化诱导p-Alx1Ga1-x1N空穴注入层7可以起到阻挡电子的作用。
5.图4所示为器件在不同驱动电流下的电致发光谱,此时器件的p电极连接直流电源的正极,n电极连接负极。在20mA、25mA、30mA、35mA和40mA的正向电流下,发光谱在430nm处均显示出蓝紫光发射峰。
表1:带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED各层生长参数
表1附注:TMGa代表三甲基镓;TEGa代表三乙基镓;TMIn代表三甲基铟;TMAl代表三甲基铝;Cp2Mg代表二茂镁;SiH4代表硅烷;NH3代表高纯氨气。
表2:器件电极制备工艺参数
机译: 光电半导体芯片具有布置在n型隧道层和p型隧道层之间的未掺杂中间层的未掺杂区,其中n型和p型隧道层通过未掺杂区彼此分开。
机译: LED包括由N型掺杂材料制成的第一层的厚部分,由N型掺杂材料制成的第二层的厚部分,该第二层被由薄层组成并由P型氮化镓层覆盖的叠层覆盖,并且具有空腔
机译: 一种制造太阳能电池的方法,该方法包括在形成金属层,N型掺杂区和P型掺杂区,在金属层上放置金属板的太阳能电池结构的表面上形成CTRIC Diel分离器