机译:宽带隙P型磁场效应晶体管应用中氮极性P型掺杂GaN / Alxga(1-X)N超晶格的研究
机译:宽带隙P型场效应晶体管应用中氮极性P型掺杂GaN / Al_XGA _((1-X))N超晶格的研究
机译:氮掺杂的P型Znse,P型Zns_yse_(1-y)和P型Zn_(1-x)mg_xs_yse_(1-y)外延受体的激子和给体-受体对的活化能Gaas(1 0 0)衬底上生长的薄膜
机译:具有p型GaN栅极触点的增强型Al_xGa_(1-x)N / GaN结异质结构场效应晶体管的制作
机译:在p型SiC衬底上生长的高性能0.25 / spl mu / m栅长掺杂沟道AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
机译:应变对硅和锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率的影响
机译:Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
机译:P型GaN / ALXGA1-XN超晶格Ti / Pt / Au欧姆触点的特性
机译:理解应变在p型In(x)Ga(1-x)as(Gaas衬底)和In(0.53 + x)Ga(0.47-x)as(on on)上的孔隙尺寸裁剪中的作用的理论形式Inp substrates)调制掺杂场效应晶体管