首页> 中国专利> 一种无掩模光刻技术的曝光方法

一种无掩模光刻技术的曝光方法

摘要

本发明公开了一种无掩模光刻技术的曝光方法,涉及光刻技术领域。本发明利用空间光调制器(SLM)调制产生的“数字掩模”经二维交叠(X方向左右交叠和Y方向上下交叠)形成目标曝光图形,交叠处曝光图形的曝光能量为梯度变化叠加,从而获得高质量目标曝光图形。本发明提出的曝光方法解决了无掩模光刻曝光技术中的拼接问题,大大减小了曝光图形的拼接误差,同时改善了因畸变原因而导致曝光图形异常的现象。

著录项

  • 公开/公告号CN101799635A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯硕半导体(中国)有限公司;

    申请/专利号CN201010127390.0

  • 发明设计人 庞微;

    申请日2010-03-16

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构34112 安徽合肥华信知识产权代理有限公司;

  • 代理人余成俊

  • 地址 230601 安徽省合肥市经济开发区锦绣大道与习友路交叉口

  • 入库时间 2023-12-18 00:35:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-16

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F7/20 申请公布日:20100811 申请日:20100316

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20100316

    实质审查的生效

  • 2010-08-11

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号