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厚胶介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强分布模拟方法

摘要

厚胶介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强分布模拟方法提供了一种用于厚胶(SU-8胶)介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强分布模拟方法,a、基于光学标量衍射理论的菲涅耳—基尔霍夫衍射积分方程,利用紫外光斜入射的旁轴近似技术来处理这个积分方程。同时,根据目前采用在掩模版和SU-8胶之间的空气间隙填充补偿介质来减小衍射问题的方法,推出了适合SU-8胶介质补偿紫外光斜入射光刻工艺的光强计算模型;b、斜入射紫外光的光强计算模型中,综合考虑了空气/补偿介质、补偿介质/SU-8胶界面的反射与折射,SU-8胶/衬底界面的反射,以及紫外光在SU-8胶内的衰减等因素,可以快速、精确地模拟SU-8胶内部斜入射紫外光的光强分布。

著录项

  • 公开/公告号CN101799630A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201010106316.0

  • 发明设计人 周再发;黄庆安;朱真;李伟华;

    申请日2010-02-02

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人柏尚春

  • 地址 210009 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号

  • 入库时间 2023-12-18 00:35:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F7/20 公开日:20100811 申请日:20100202

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20100202

    实质审查的生效

  • 2010-08-11

    公开

    公开

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