利用晶片结合和电化学蚀刻停止的小型表压传感器

摘要

本发明涉及一种表压传感器装置及其制作方法。对约束晶片进行部分蚀刻以设置膜片尺寸，然后结合到一上部晶片。上部晶片的厚度可以是期望的膜片厚度，或者在结合后减薄为期望厚度。上部晶片和约束晶片的结合使得能够进行电化学蚀刻停止。这允许通过约束晶片的背侧来蚀刻介质通道，并且当蚀刻到达膜片时产生电信号。该工艺防止膜片过蚀刻。与通过从背侧蚀刻设置膜片尺寸的情况下的管芯相比，本发明允许管芯的尺寸更小。