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双晶体管NOR式非挥发性内存单元数组与双晶体管NOR式非挥发性内存的数据处理方法

摘要

本发明提供一包括至少一单元的双晶体管(2T)NOR式单元数组,以及一单元,其包含一选择晶体管和具有一电荷储存浮闸或者一电荷储存介电质的一储存晶体管,并且提供一双晶体管(2T)NOR式闪存单元的数据处理方法,该双晶体管NOR式闪存单元被用于一双晶体管NOR式单元数组中储存数据、读取所储存的数据、和擦除所储存的数据。该双晶体管NOR式单元数组包括一选择晶体管和一储存晶体管。该选择晶体管包括一连接至一位线的接线端和加载一选择信号的闸电极接线端。储存晶体管包括一连接至选择晶体管的剩下一端的接线端,其另一个接线端连接至一共源极线,并且其一闸电极上加载一控制电压。当执行一编程处理的时候,一负偏压载入至选择晶体管和储存晶体管的体内区域,并且在储存晶体管的闸电极区域和体内区域之间提供一浮闸或者一电荷储存介电质。

著录项

  • 公开/公告号CN101573764A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-11-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 崔雄林;

    申请/专利号CN200780044712.1

  • 发明设计人 崔雄林;

    申请日2007-11-21

  • 分类号G11C16/34(20060101);

  • 代理机构北京华夏博通专利事务所;

  • 代理人刘俊

  • 地址 韩国忠北清州市

  • 入库时间 2023-12-17 22:53:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-10-03

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C16/34 申请公布日:20091104 申请日:20071121

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-12-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-11-04

    公开

    公开

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