提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法及栅极的制造方法

摘要

一种提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有包含多晶硅层的栅极，在所述多晶硅层中掺有杂质离子；对所述栅极执行原位水蒸气产生氧化工艺，在所述栅极侧壁形成氧化层；其中，所述的原位水蒸气产生氧化工艺中的温度为800至1500℃。本发明还提供一种栅极的制造方法。本发明能够提高栅极侧壁的氧化层的厚度一致性，且工艺较为简单。