可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法

摘要

本发明公开了一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；图案化所述第一氧化层，以暴露对应栅极位置的第一氧化层；去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层；将所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层；在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层形成栅极。本发明的可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法能够精确地控制栅极氧化层的厚度，满足不同阈值电压的需要。