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瞬时脉冲抑制器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种高分子半导体材料及其在电子线路静电放电防护器件中的应用,为一种瞬时脉冲抑制器件,包括基板、内电极、端电极和外侧的包封层,所述的内电极中部开设有狭缝,狭缝中充满高分子半导体材料,所述狭缝的宽度为0.01~0.1mm,所述的高分子半导体材料由高分子基体、半导体填料、导体填料、绝缘填料和交联助剂混合而成,其中,高分子基体的体积电阻系数>10

著录项

  • 公开/公告号CN101488386A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海长园维安微电子有限公司;

    申请/专利号CN200910046191.4

  • 发明设计人 刘伟;李江;张玉月;吴兴农;

    申请日2009-02-13

  • 分类号H01C7/13;H01C7/12;H01B1/00;H05F3/04;

  • 代理机构上海东亚专利商标代理有限公司;

  • 代理人董梅

  • 地址 201202 上海市浦东新区施湾七路1001号

  • 入库时间 2023-12-17 22:18:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01C7/13 申请公布日:20090722 申请日:20090213

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-07-22

    公开

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