PbTe半导体光电导中红外探测器及制备方法

摘要

一种基于PbTe半导体外延材料的光电导中红外探测器，包括基底、沉积在基底上的半导体光敏电阻薄膜、光敏电阻薄膜表面的保护层、电极，利用分子束外延设备(MBE)在CdZnTe基底上生长无掺杂的PbTe半导体薄膜，使用ZnS作为绝缘层保护光电导主体部分，在PbTe薄膜上利用射频磁控溅射技术镀Ti－Au薄膜做电极，ZnS绝缘保护层在2～10μm中红外波段具有良好的透射率，PbTe光电导中红外探测器对于2～5μm中红外波段的光具有较高的光电导灵敏度和响应度。