用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法，该结构包括：依次层叠的衬底层、阴极接触层、集电层、InAs/GaSb超晶格吸收层、电子阻挡层及阳极接触层；阴极，形成于阴极接触层上；阳极，形成于阳极接触层上；共面波导电极，分别与阴极及阳极电连接。本发明采用InAs/GaSb材料体系作为半导体光电探测器的吸收层可将光电探测器的测试波长延伸至中红外波段，当形成的电子基态能级与空穴基态能级之差小于中红外波长的光子对应的能量时，就能吸收中红外波长的光，从而实现对中红外波段的覆盖；另外，通过调节吸收层中InAs层和GaSb层的厚度，使探测器具有一定的波长可调节范围；再者采用单行载流子(电子)结构，能够实现更高的响应速度。