绝缘层上覆硅的制作方法及绝缘层上覆硅的结构

摘要

本发明提供了一种绝缘层上覆硅的制作方法，该方法包括步骤：于基材上形成多个沟槽；于这些沟槽的内侧表面以及内底表面形成氧化层；于该氧化层上形成氮化层；移除各沟槽的内底表面的所述氮化层以及氧化层；使用阳极处理使部分基材形成多孔硅层；旋转涂布介电质填满该些沟槽，该介电质覆盖于所述多孔硅层上；以及使用加热工艺使多孔硅层形成绝缘层。本发明同时提供一种按照上述方法制作得到的绝缘层上覆硅的结构。利用本发明的方法制作绝缘层上覆硅的结构，可降低成本，且制作过程快速，使生产率上升。