一种薄层SOI LIGBT器件

摘要

一种薄层SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层厚度为1μm～2μm，在体区与漂移区之间做有空穴势垒层，将空穴最大限度"挡"在漂移区内，从而增加漂移区中靠阴极侧的空穴浓度，降低器件导通损耗。在空穴势垒层旁还可以增加P型耗尽区，辅助耗尽N型空穴势垒层，以增强器件承受高压时的漂移区耗尽，改善器件的击穿特性。本发明具有寄生效应小、速度快、功耗低、抗辐照能力强等优点，且与标准工艺兼容。采用本发明可以制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的LIGBT功率器件。