制作硅纳米点及非易失性存储器的方法

摘要

一种制作硅纳米点的方法，包括下列步骤，提供无定形硅；在所述无定形硅上形成籽晶；对所述无定形硅和籽晶退火形成硅纳米点；氧化所述硅纳米点形成氧化硅，以隔离相邻硅纳米点。本发明还公开了一种制作非易失性存储器的方法。所述制作硅纳米点的方法以及制作非易失性存储器的方法能够使得所形成的非易失性存储器中的硅纳米点的尺寸较小，并且隔离度较好，从而提高了非易失性存储器的存储性能。