シリコンナノドットを用いた不揮発性メモリ

摘要

半導体メモリは，ナノテクノロジーや新材料などの新技術と，従来のCMOS回路技術を融合させる格好の場である。本稿では，フラッシュメモリのフローティングゲートをシリコンナノドットに置き換えることによる特性向上と高機能化の例を紹介した。 半導体デバイスは，今後も微細化が続くことが確実であり，その特性にナノ構造特有の現象が発現することが必至である。 これらの新しい現象をいかに積極的に利用するかが今後のデバイス開発の最大の課題である。 これらの努力により，微細化限界が近いといわれている既存のMOSFETやメモリに付加価値を与え，微細化限界および性能限界を打破する可能性があると考えられる。