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一种双层结构的微机电系统微磁执行器的制作方法

摘要

本发明涉及微机电系统微型执行器技术领域,公开了一种双层结构的微机电系统微磁执行器的制作方法,该方法包括:A.在硅晶片背面淀积氮化硅薄膜;B.保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C.在硅晶片正面淀积一层PSG薄膜,在PSG层上再淀积一层多晶硅薄膜;D.在多晶硅薄膜上再淀积一层PSG,退火,对多晶硅薄膜进行磷掺杂;E.去掉PSG,光刻,刻蚀形成执行器图形;F.正面淀积一层氮化硅薄膜,光刻,刻蚀形成接触孔;G.正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈以及电极;H.腐蚀背面体硅,直到PSG层;I.在HF溶液中腐蚀PSG层,释放执行器。本发明简化了制作工艺,克服了用于流体控制的微执行器驱动力小的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN101376491A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200710121076.X

  • 申请日2007-08-29

  • 分类号B81C1/00;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-17 21:32:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-07-13

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B81C1/00 公开日:20090304 申请日:20070829

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-04-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-03-04

    公开

    公开

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