一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元及其制作方法

摘要

本发明涉及微电子技术领域，公开了一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元，包括：硅衬底1、位于硅衬底1两端上重掺杂的源导电区6和漏导电区7、源导电区6与漏导电区7之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层2、覆盖在隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层3、覆盖在纳米晶电荷存储层上的控制栅介质层4以及覆盖在控制栅介质层上的栅材料层5。本发明同时公开了一种制作纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元的方法。利用本发明，提高了浮栅结构的非挥发性存储单元的编程/擦除速度、有效存储能力、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能，本发明的方法基于传统CMOS工艺，并且制作工艺简单，提高了制作效率，降低了制作成本。